光刻设备的瞳面透过率分布的检测方法技术

本发明专利技术提供了一种光刻设备的瞳面透过率分布的检测方法。提供多种相位掩模图形，并使从不同的相位掩模图形投射出的第二级子光束分别对应在成像系统的瞳面的不同位置，从而可以对成像系统的瞳面上的多个检测点进行光瞳透过率检测，进而得到整个瞳面的透过率分布。即，本发明专利技术提供的瞳面透过率分布的检测方法，其检测过程便捷，并且检测时长也较短，有利于实现光刻设备以短周期执行检测过程，以及时的监控光刻设备的光瞳透过率状态。

【技术实现步骤摘要】
光刻设备的瞳面透过率分布的检测方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种光刻设备的瞳面透过率分布的检测方法。
技术介绍
随着投影光刻技术的发展，光刻设备的投影光学系统性能逐步提高，目前光刻设备已成功应用于亚微米和深亚微米分辨率的集成电路制造领域。以及，为适应集成电路制造相继突破45nm、32nm和22nm技术节点的工艺要求，光刻设备也必须提高其成像分辨率，而提高成像分辨率的方法之一就是增大光刻设备的物镜系统的数值孔径NA，然而，采用大数值孔径的物镜系统将导致光束对光刻结果的影响变得更为明显。尤其是，随着超高数值孔径的成像系统的应用工况增多，并且随着物镜其工作时间的增加，各个曝光场点的成像系统的瞳面透过率分布(PupilTransmittanceDistribution，PTD)会有不同，从而会导致远心、光瞳平衡性等指标恶化。因此，成像系统的光瞳透过率必须能够被检测，并希望可以获取各个曝光场点的瞳面透过率分布。目前，针对光刻设备的瞳面透过率的检测中，通常是在将物镜系统集成到光刻设备的整机之前，利用偏振检测装置单独的在离线状态本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻设备的瞳面透过率分布的检测方法，其特征在于，包括：/n提供多种相位掩模图形；/n利用照明系统提供光束，并使所述光束依次穿过各个相位掩模图形以投射出第一级子光束和第二级子光束，其中不同的相位掩模图形投射出的第二级子光束对应在物面的不同位置；/n获取由各个相位掩模图形投射出的第一级子光束和第二级子光束在穿过物镜系统之前的物面光瞳信息；/n使由各个相位掩模图形投射出的第一级子光束和第二级子光束依次穿过物镜系统以投射至像面，并检测穿过所述物镜系统之后的第一级子光束和第二级子光束的像面光瞳信息；以及，/n根据各个相位掩模图形所对应的物面光瞳信息和像面光瞳信息，得到所述光刻设备的瞳面透过率分布...

【技术特征摘要】
1.一种光刻设备的瞳面透过率分布的检测方法，其特征在于，包括：
提供多种相位掩模图形；
利用照明系统提供光束，并使所述光束依次穿过各个相位掩模图形以投射出第一级子光束和第二级子光束，其中不同的相位掩模图形投射出的第二级子光束对应在物面的不同位置；
获取由各个相位掩模图形投射出的第一级子光束和第二级子光束在穿过物镜系统之前的物面光瞳信息；
使由各个相位掩模图形投射出的第一级子光束和第二级子光束依次穿过物镜系统以投射至像面，并检测穿过所述物镜系统之后的第一级子光束和第二级子光束的像面光瞳信息；以及，
根据各个相位掩模图形所对应的物面光瞳信息和像面光瞳信息，得到所述光刻设备的瞳面透过率分布。


2.如权利要求1所述的光刻设备的瞳面透过率分布的检测方法，其特征在于，所述光束经过所述相位掩模图形后投射出一束第一级子光束和两束第二级子光束，以及所述两束第二级子光束以分别对应在所述第一级子光束的两侧穿过所述物镜系统。


3.如权利要求1所述的光刻设备的瞳面透过率分布的检测方法，其特征在于，所述多种相位掩模图形中，部分的相位掩模图形为依次偏转不同的角度，以使投射出的第二级子光束对应在瞳面上的位置以依次偏转45°方位角围绕所述瞳面中心。


4.如权利要求1所述的光刻设备的瞳面透过率分布的检测方法，其特征在于，所述多种相位掩模图形中，部分的相位掩模图形的光栅周期互不相同，以使投射出的第二级子光束对应在瞳面上的位置与瞳面中心依次间隔0.3倍的瞳面半径、0.6倍的瞳面半径和0.9倍的瞳面半径。


5.如权利要求1所述的光刻设备的瞳面透过率分布的检测方法，其特征在于，多种相位掩模图形设置在同一掩模版上；以及，
在对预定的曝光场点执行瞳面透过率分布的检测时，移动所述掩模版，以使所述多种相位掩模图形依次对位在预定的曝光场点，并依次获取在各个相位掩模图形下的物面光瞳信息和像面光瞳信息，以得到预定的曝光场点的瞳面透过率分布。


6.如权利要求5所述的光刻设备的瞳面透过率分布的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：
设定多个待检测曝光场点，并利用所述多种相位掩模图形依次在各个待检测曝光场点获取各个待检测曝光场点的瞳面透过率分布。


7.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙文凤，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31