一种铬硅化物靶材及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种铬硅化物靶材及其制备方法，特点是该CrSi靶材相对密度在99％以上，氧含量小于500ppm，其制备方法包括以下步骤：将纯度99.9％以上的铬和硅混合后粉碎成平均粒径10‑100μm的粉末；2)将混合后的粉末置于真空热处理炉中反应生成二硅化铬化合物粉末，用此方式产生的粉末作为原材料的一部分；3)然后将步骤1)和步骤2)的混合原料粉末通过真空热压，在惰性气体气氛10‑1000Pa下，于1200‑1350℃和加压力400‑600kg/cm

【技术实现步骤摘要】
一种铬硅化物靶材及其制备方法
本专利技术涉及一种铬硅化物靶材及其制备方法。
技术介绍
用于半导体和电子电路的烧结铬硅化物靶材，当用于薄膜形成(如半导体和电子设备)时，为了减少粒子，需要高密度。然而，铬和硅化合物制备铬硅化物靶材，当用烧结方法生产时，具有难以实现高密度的特性。这是Cr烧结过程中蒸发引起的熔点变化的一个因素。粒子的增加导致产品质量和产量下降，这是一个需要解决的问题。现有的铬硅化物(以下简称为CrSi)烧结材料是将铬(Cr)粉末和硅(Si)粉末混合，通过真空热压机(以下简称为HotPress)将混合粉末烧结制成的。但是，在该方法中，由于CrSi不同的组成形式熔点也会发生变化，烧结时的温度必须设定为不高于各组成形式的熔点。(例如1300℃以下)因烧结温度低，相对密度在95％以下，难以得到高密度。另外，为了在低温下获得高密度，有使粉末细化的方法，但是Cr和Si通过细化，通过氧气量增加而阻碍烧结性，从而难以得到高密度化。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种高纯度、高密度化的铬硅化物靶材及其制备方法。...

【技术保护点】
1.一种铬硅化物靶材，其特征在于：该CrSi靶材相对密度在98％以上，氧含量小于500ppm。/n

【技术特征摘要】
1.一种铬硅化物靶材，其特征在于：该CrSi靶材相对密度在98％以上，氧含量小于500ppm。


2.一种权利要求1所述的铬硅化物靶材的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)将纯度99.9％以上的Cr与Si进行混合，其中Cr含量20-55wt％，与之对应的Si含量则为45-80wt％，将混合物粉碎成平均粒径10-100μm的粉末，使其均匀化；
(2)将混合后的粉末置于真空热处理炉中，在温度1000-1300℃的条件下，保持1-3小时，进行Cr和Si的反应，生成二硅化铬化合物粉末，用此方式产生的粉末作为原材料的一部分；
(3)将步骤(1)和步骤(2)的混合原料粉末...

【专利技术属性】
技术研发人员：大岩一彦，姚科科，廣田二郎，中村晃，林智行，山田浩，
申请(专利权)人：浙江最成半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33