一种钨烧结靶材的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种钨烧结靶材的制造方法，特点是包括取已溅射使用的高纯度钨粉末烧结靶材，在烧结靶材消耗的部分填充纯度99.999％、粒径3‑5μm的钨原料粉末的步骤；将填充有钨原料粉末的烧结靶材置于真空热处理炉中，在真空5×10

【技术实现步骤摘要】
一种钨烧结靶材的制造方法
本专利技术涉及一种钨烧结靶材的制造方法。
技术介绍
用于薄膜形成，如常规半导体和电子设备，溅射靶材的使用效率为30-40％，相对于新品时的靶材重量，最多高达70％的靶材因不溅射而被废弃。以往的制造方法中，烧结靶材的投入原料的制造成品率约为55％，而溅射后的使用效率则停留在40％，因此，溅射成膜所使用的量仅为投入原料的20％。靶材材料中也有稀有金属等有限资源，从环境保护的角度需要有效利用，包括回收，从而有效降低制造成本和保护环境资源。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种有效提高靶材利用率的钨烧结靶材的制造方法。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种钨烧结靶材的制造方法，包括以下步骤：取已溅射使用的高纯度钨粉末烧结靶材，在烧结靶材消耗的部分填充纯度99.999％、粒径3-5μm的钨原料粉末后，通过脱气、真空热压和热等静压技术再次烧结形成钨烧结靶材。具体步骤如下：(1)将经溅射成膜后接合的高纯度钨粉末烧结靶材与背板，除去背板后，取烧结靶材除去表面污物并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钨烧结靶材的制造方法，其特征在于包括以下步骤：取已溅射使用的高纯度钨粉末烧结靶材，在烧结靶材消耗的部分填充纯度99.999％、粒径3-5μm的钨原料粉末后，通过脱气、真空热压和热等静压技术再次烧结形成钨烧结靶材。/n

【技术特征摘要】
1.一种钨烧结靶材的制造方法，其特征在于包括以下步骤：取已溅射使用的高纯度钨粉末烧结靶材，在烧结靶材消耗的部分填充纯度99.999％、粒径3-5μm的钨原料粉末后，通过脱气、真空热压和热等静压技术再次烧结形成钨烧结靶材。


2.根据权利要求1所述的一种钨烧结靶材的制造方法，其特征在于具体步骤如下：
(1)将经溅射成膜后接合的高纯度钨粉末烧结靶材与背板，除去背板后，取烧结靶材除去表面污物并进行酸洗后，放在烧结用夹具的底部，在烧结靶材消耗的部分填充纯度99.999％、粒径3-5μm的钨原料粉末；
(2)将填充有钨原料粉末的烧结靶材置于真空热处理炉中，在真空5×10-2Pa...

【专利技术属性】
技术研发人员：大岩一彦，姚科科，廣田二郎，中村晃，林智行，山田浩，
申请(专利权)人：浙江最成半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33