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本发明公开了一种钨烧结靶材的制造方法，特点是包括取已溅射使用的高纯度钨粉末烧结靶材，在烧结靶材消耗的部分填充纯度99.999％、粒径3‑5μm的钨原料粉末的步骤；将填充有钨原料粉末的烧结靶材置于真空热处理炉中，在真空5×10...
该专利属于浙江最成半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江最成半导体科技有限公司授权不得商用。

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