一种半导体用高纯钨靶材及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体用高纯钨靶材及其制备方法，特点是该钨靶材纯度为99.999％以上，相对密度为99％以上，含杂质氧、碳、氮和硫总量为50ppm及以下，其制备方法包括将纯度达到99.999％以上、粒度为3.2‑4.2μm的钨粉进行均匀混合后，置于真空热处理炉中进行预脱气，然后导入氢气，继续加热进行脱气的步骤；将脱气后的钨粉通过真空热压完成一次烧结的步骤；将一次烧结后的钨板通过热等静压机完成二次烧结的步骤；将二次烧结后的钨板通过机械加工将整个表面进行磨削处理，得到纯度为99.999％及以上且密度为99％及以上的半导体用高纯钨靶材，优点是高纯度、高密度且低电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体用高纯钨靶材及其制备方法
本专利技术涉及一种钨靶材的制备技术，尤其是涉及一种半导体用高纯钨靶材及其制备方法。
技术介绍
半导体电路的小型化和高度集成要求逐年增加，为了实现这一点，需要降低电阻。钨有良好的电导率，由于其优异的性能，如热稳定性，被用作半导体电路中的材料。一般来说，高纯度烧结钨，纯度99.999％以上从低电阻的要求被采用。这主要是对金属成分的纯度进行标准化的，对非金属元素没有特别规定。然而，通过溅射形成的薄膜，通过增加非金属元素，或增加电阻值，基板表面电阻值的变化较大，影响稳定性。因此，针对上述情况，需要一种能同时实现低电阻和稳定性的半导体用高纯钨靶材及其制备方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种高纯度、高密度且低电阻的半导体用高纯钨靶材及其制备方法。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种半导体用高纯钨靶材，该钨靶材纯度为99.999％以上，相对密度为99％以上，含有非金属元素杂质氧、碳、氮和硫总量为50ppm及以下。所述的钨靶材中含有非金属元素杂质氧、碳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体用高纯钨靶材，其特征在于：该钨靶材纯度为99.999％以上，相对密度为99％以上，含有非金属元素杂质氧、碳、氮和硫总量为50ppm及以下。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体用高纯钨靶材，其特征在于：该钨靶材纯度为99.999％以上，相对密度为99％以上，含有非金属元素杂质氧、碳、氮和硫总量为50ppm及以下。


2.根据权利要求1所述的一种半导体用高纯钨靶材，其特征在于：所述的钨靶材中含有非金属元素杂质氧、碳、氮和硫总量为30ppm。


3.根据权利要求1所述的一种半导体用高纯钨靶材，其特征在于：所述的钨靶材中氧和碳总量小于20ppm。


4.一种权利要求1所述的半导体用高纯钨靶材的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)将纯度达到99.999％以上、粒度为3.2-4.2μm的钨粉进行均匀混合；
(2)将均匀处理后的钨粉置于真空热处理炉中，在真空5×10-2Pa的压力下，于1000...

【专利技术属性】
技术研发人员：大岩一彦，姚科科，廣田二郎，中村晃，林智行，山田浩，
申请(专利权)人：浙江最成半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33