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本发明公开了一种半导体用高纯钨靶材及其制备方法，特点是该钨靶材纯度为99.999％以上，相对密度为99％以上，含杂质氧、碳、氮和硫总量为50ppm及以下，其制备方法包括将纯度达到99.999％以上、粒度为3.2‑4.2μm的钨粉进行均匀混合...该专利属于浙江最成半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江最成半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种半导体用高纯钨靶材及其制备方法，特点是该钨靶材纯度为99.999％以上，相对密度为99％以上，含杂质氧、碳、氮和硫总量为50ppm及以下，其制备方法包括将纯度达到99.999％以上、粒度为3.2‑4.2μm的钨粉进行均匀混合...