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本发明公开了一种铬硅化物靶材及其制备方法，特点是该CrSi靶材相对密度在99％以上，氧含量小于500ppm，其制备方法包括以下步骤：将纯度99.9％以上的铬和硅混合后粉碎成平均粒径10‑100μm的粉末；2)将混合后的粉末置于真空热处理炉中...该专利属于浙江最成半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江最成半导体科技有限公司授权不得商用。
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