一种高致密锇靶材的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高致密锇靶材的制备方法。包括以下步骤：(1)称取锇粉、碳粉，在混料机中混合6～24小时，得到混合均匀的锇粉、碳粉混合粉末；(2)将锇粉、碳粉混合粉末装在烧结用模具中，将模具放入真空热压炉中，于1400～1700℃，热压烧结30～120分钟；(3)冷却到室温后，去除真空，脱模，获得烧结成型的高致密锇靶材坯料，然后通过线切割加工或者磨床磨削，得到高致密锇靶材。本发明专利技术利用锇粉吸附的氧化锇原位与碳的还原反应，放出一氧化碳或者二氧化碳生成纯锇，生成的纯锇在锇粉表面具有非常高的活性，能够促进粉末颗粒的粘接，排除锇的氧化物以及生成的气体，从而能够制备出致密度高于99％，晶粒细小的锇靶材。

【技术实现步骤摘要】
一种高致密锇靶材的制备方法
本专利技术涉及一种高致密锇靶材的制备方法，属于电子行业镀膜用靶材制备

技术介绍
锇是一种能显著提高阴极发射性能的材料，通常是在阴极表面镀制一层锇或者锇合金来提高阴极发射性能，由于阴极表面状态与发射性能关系密切，平整、致密、厚度一致的膜层能够保证阴极发射电流稳定、均匀，而且能够延长阴极的使用寿命，表面状态差的阴极膜层会导致膜层消耗不均匀，电流不宜控制，寿命达不到预期，降低器件可靠性。因此作为镀制锇膜层的靶材，需要具备高的致密度，才能保证镀膜过程均匀，无气体放出从而避免膜层厚度不一或者有金属液滴喷溅。在锇靶材制备方法中，通常使用常压烧结，这种方法由于需要高温，导致晶粒长大，无法获得细晶粒的靶材，而且由于粉末表面附着锇的氧化物，在高温条件下挥发，造成靶材致密度无法有效提高，一般常压烧结的最高致密度92％，无法满足阴极发射对高致密细晶粒靶材的需求。热等静压也是一种制备高致密度靶材的有效方法，但由于锇粉中存在锇的易挥发氧化物，热等静压中对粉末的包套限制了锇的氧化物的挥发，使气态氧化物在靶材坯料中形成气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高致密锇靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)称取锇粉、碳粉，在混料机中混合6～24小时，得到混合均匀的锇粉、碳粉混合粉末；/n(2)将锇粉、碳粉混合粉末装在烧结用模具中，将模具放入真空热压炉中，于1400～1700℃，热压烧结30～120分钟；/n(3)冷却到室温后，去除真空，脱模，获得烧结成型的高致密锇靶材坯料，然后通过线切割加工或者磨床磨削，得到高致密锇靶材。/n

【技术特征摘要】
1.一种高致密锇靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)称取锇粉、碳粉，在混料机中混合6～24小时，得到混合均匀的锇粉、碳粉混合粉末；
(2)将锇粉、碳粉混合粉末装在烧结用模具中，将模具放入真空热压炉中，于1400～1700℃，热压烧结30～120分钟；
(3)冷却到室温后，去除真空，脱模，获得烧结成型的高致密锇靶材坯料，然后通过线切割加工或者磨床磨削，得到高致密锇靶材。


2.根据权利要求1所述的高致密锇靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，碳粉占锇粉、碳粉混合粉末总重量的0.01％-0.05％。

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕宏，谢元锋，夏扬，张超，
申请(专利权)人：有研工程技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11