一种晶体生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶体生长装置，属于晶体生长技术领域，能够解决现有载晶架高度限制晶体生长高度，严重制约晶体产出效率的问题。所述装置包括：晶体生长槽，用于容置晶体生长液；托盘，设置在晶体生长槽内，且靠近晶体生长槽底部，用于放置籽晶；第一驱动结构，与托盘连接，用于驱动托盘在水平面上旋转；搅拌结构，设置在晶体生长槽内，用于搅拌所述晶体生长液。本发明专利技术用于晶体生长。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长装置
本专利技术涉及一种晶体生长装置，属于晶体生长

技术介绍
磷酸二氢钾晶体(KDP)和磷酸二氘钾晶体(DKDP)是性能优良的电光和非线性光学晶体材料，被广泛应用于激光领域。近年来，随着惯性约束核聚变(ICF)的快速发展，KDP类晶体以其能生长出大尺寸等优点，在ICF系统中起着不可替代的作用。在ICF工程中，大尺寸的KDP类晶体被用来制作普克尔斯盒、二倍频和三倍频元件。在晶体快速生长过程中，由于原料中金属离子含量不同，晶体纵横比往往不可控制，受载晶架高度的限制，在晶体生长后期，晶体锥头接触到载晶架上部，阻碍了晶体的继续生长，无法满足切割所需高度，严重制约了晶体产出效率。
技术实现思路
本专利技术提供了一种晶体生长装置，能够解决现有载晶架高度限制晶体生长高度，严重制约晶体产出效率的问题。本专利技术提供了一种晶体生长装置，包括：晶体生长槽，用于容置晶体生长液；托盘，设置在所述晶体生长槽内，且靠近所述晶体生长槽底部，用于放置籽晶；第一驱动结构，与所述托盘连接，用于驱动所述托盘在水平面上旋转；搅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：/n晶体生长槽，用于容置晶体生长液；/n托盘，设置在所述晶体生长槽内，且靠近所述晶体生长槽底部，用于放置籽晶；/n第一驱动结构，与所述托盘连接，用于驱动所述托盘在水平面上旋转；/n搅拌结构，设置在所述晶体生长槽内，用于搅拌所述晶体生长液。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：
晶体生长槽，用于容置晶体生长液；
托盘，设置在所述晶体生长槽内，且靠近所述晶体生长槽底部，用于放置籽晶；
第一驱动结构，与所述托盘连接，用于驱动所述托盘在水平面上旋转；
搅拌结构，设置在所述晶体生长槽内，用于搅拌所述晶体生长液。


2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述装置还包括：第二驱动结构，所述第二驱动结构与搅拌结构连接，用于驱动所述搅拌结构旋转。


3.根据权利要求1或2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长槽为胶囊状。


4.根据权利要求3所述的晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长槽的内壁上设置有多个凸起结构；多个所述凸起结构沿所述晶体生长槽的周向分布。


5.根据权利要求4所述的晶体生长装置，其特征在于，所述凸起结构为长方体。


6.根据权利要求5所述的晶体生长装置，其特征在于，所述凸起结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑国宗，胡子钰，林秀钦，李静雯，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：福建;35