一种二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法技术

技术编号:26841238 阅读:55 留言:0更新日期:2020-12-25 12:58
本发明专利技术公开了一种二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法,通过将废弃钆钡铜氧超导块材表面磨平抛光做为固相源坯块,采用顶部籽晶熔渗生长法,固相源坯块在籽晶的作用下重新诱导液相源进行二次单畴化生长。本发明专利技术整个过程中仅需要固态反应制备BaCuO

【技术实现步骤摘要】
一种二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法
本专利技术属于高温铜氧化物超导材料
,具体涉及到一种二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法。
技术介绍
单畴铜基(REBCO)超导材料由于在低温下具有较强的磁场而一直广受关注,然而,由于其含有稀土元素从而使制备成本大大提高,同时,REBCO超导材料的制备效率较低而且成品率较低,这些因素一直阻碍着REBCO的实际应用。因此,对于生长失败的废弃REBCO超导材料的回收再利用技术研究是很有必要的,该技术对于潜在的经济效益和环境的可持续发展有着较为深远的影响。目前,对于生长失败的废弃REBCO(RE=Y,Gd,Sm,Nd等稀土元素)样品的可回收利用技术的研究已经有相关的文献报道。但是,从相关的文献记载中可以看到,主要有两种回收利用技术方面的研究:第一种方法是将废弃REBCO样品重新粉碎并研磨成粉体,然后将这些粉体称量、压坯、烧结等方法进行再生长,从而制备出具有较好单畴形貌的样品;另外一种方法是将废弃REBCO样品的上表面进行磨平、抛光,然后将熔融初始粉体(即顶部籽熔融生长TSMTG方法的先驱粉体,一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法,该方法由下述步骤组成:/n(1)配制BaCuO

【技术特征摘要】
1.一种二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法,该方法由下述步骤组成:
(1)配制BaCuO2粉
将BaCO3与CuO粉按摩尔比为1:1混合,用固态反应法制成BaCuO2粉;
(2)配制液相源先驱粉
将分析纯的Y2O3、CuO粉以及BaCuO2粉按摩尔比1:6:10混合均匀,作为液相源先驱粉;
(3)制备固相源坯块
(4)压制液相源先驱块
将液相源先驱粉压制成直径大于固相源坯块的圆柱体,作为液相源先驱块;
(5)压制支撑块
将Yb2O3粉压制成直径与液相源先驱块直径相同的圆柱体,作为支撑块;
(6)坯体装配
在Al2O3垫片上表面至下而上依次放置MgO单晶片、支撑块、液相源坯块、固相源坯块、钕钡铜氧籽晶块,装配成坯体;
(7)二次单畴化生长钆钡铜氧块材
(8)渗氧处理
将二次单畴化生长的钆钡铜氧块材置入石英管式炉中,在流通氧气气氛、440~350℃的温区中慢冷200小时,得到单畴钆钡铜氧超导块材;
其特征在于:所述的(3)制备固相源坯块的方法为:用切片机将废弃钆钡铜氧块材中的液相部分去除,并用磨抛机将其上、下表面抛光,作为固相源坯块;
所述的(7)二次单畴化生长钆钡铜氧块材的具体方...

【专利技术属性】
技术研发人员:王妙王小梅杨万民冯忠岭
申请(专利权)人:西安航空学院
类型:发明
国别省市:陕西;61

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