【技术实现步骤摘要】
一种制备高纯片状单晶和片晶致密聚集状铈碳酸盐的方法
本专利技术属于电子信息与新材料领域，明涉及一种用于集成电路和芯片抛光材料制备用高纯度铈碳酸盐前驱体的制备技术。
技术介绍
超高精度抛光技术在现代工业中起着十分重要的作用，是各种高精度表面加工的必要手段，而抛光材料则是高精度抛光技术的灵魂，尤其是在电子信息产业中各种集成电路和芯片制造技术中具有不可替代的作用。二氧化铈（CeO2）因其独特的性质被广泛用于高精度抛光，具有抛光能力强，精度高，时间短和操作环境清洁的等优点，应用前景非常广阔。为满足高性能芯片抛光的生产需要，所生产的抛光材料必须满足颗粒大小、形貌以及纯度的严格要求。超高精度集成电路和芯片的抛光需要使用超高纯纳米和亚微米尺度的氧化铈抛光材料。传统的方法是用碱沉淀法和水热合成法直接得到纳米和亚微米尺度的氢氧化铈和氧化铈悬浮液。但由于纳米颗粒的液固分离十分困难，合成时共存的那些对抛光质量有明显影响的杂质离子很难去除干净。导致杂质分离过程耗时长，用水和排水量大，不仅增加消耗，降低了收率，而且给环境带来很大的压力。
【技术保护点】
1.一种制备高纯片状单晶和片晶致密聚集状铈碳酸盐的方法，其特征是按如下步骤：/n（1）配置铈料液，其浓度在0.1~1.2mol/L之间；/n（2）在步骤（1）的铈料液中加入柠檬酸铵添加剂，其质量分数加量为碳酸铈量的0.2%以上；/n（3）在常温和搅拌条件下，将步骤（2）中含柠檬酸铵的铈溶液与碳酸氢铵或碳酸铵沉淀剂中的一种或两种的混合物溶液混合，使铈形成碳酸盐沉淀；其加量按碳酸氢铵与铈离子的物质的量之比为5~8，按碳酸铵与铈离子的物质的量之比为2.5~4；/n（4）沉淀完成后，停止搅拌，常温下陈化结晶4~40小时；/n（5）结晶完成后过滤，用高纯水洗涤直至洗出液无铵离子或氯离...
【技术特征摘要】
1.一种制备高纯片状单晶和片晶致密聚集状铈碳酸盐的方法，其特征是按如下步骤：
（1）配置铈料液，其浓度在0.1~1.2mol/L之间；
（2）在步骤（1）的铈料液中加入柠檬酸铵添加剂，其质量分数加量为碳酸铈量的0.2%以上；
（3）在常温和搅拌条件下，将步骤（2）中含柠檬酸铵的铈溶液与碳酸氢铵或碳酸铵沉淀剂中的一种或两种的混合物溶液混合，使铈形成碳酸盐沉淀；其加量按碳酸氢铵与铈离子的物质的量之比为5~8，按碳酸铵与铈离子的物质的量之比为2.5~4；
（4）沉淀完成后，停止搅拌，常温下陈化结晶4~40小时；
（5）结晶完成后过滤，用高纯水洗涤直至洗出液无铵离子或氯离子；
（6）滤饼经干燥分散，即可得到所需产物。
2.根据权利要求1所述的一种制备高纯片状单晶和片晶致密聚集状铈碳酸盐的方法，其特征是步骤（1）中所述的铈料液是氯化铈或硝酸铈溶液，或从稀土分离企业获得，或购买相应的高纯度氯化铈或硝酸铈用高纯水溶解配置。
3.根据权利要求1所述的一种制备高纯片状单晶和片晶致密聚集状铈碳酸盐的方法，其特征是步骤（2）中所述的柠檬酸铵添加剂以柠檬酸三铵计量，其加量范围要依据碳酸氢铵、碳酸铵与铈的沉淀加料比来调整，在Rab=5~7、Rac=2.5~3.5范围内，杂质离子含量随柠檬酸三铵添加量增加而单调降低，柠檬酸三铵的加量需要控制在0.4%以上；而在Rab=7~8...
【专利技术属性】
技术研发人员：周雪珍，朱敏萱，丁林敏，李静，李永绣，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：发明
国别省市：江西;36
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