拓扑量子单晶Cu制造技术

本申请公开了一种拓扑量子单晶Cu

【技术实现步骤摘要】
拓扑量子单晶Cu3TeO6的制备方法
本申请涉及一种拓扑量子单晶Cu3TeO6的制备方法，属于晶体制备

技术介绍
近日，有研究报到，利用中子散射结合理论模拟对三维反铁磁体Cu3TeO6进行研究，首次在真实材料体系中观测到了三维拓扑磁振子激发。在拓扑磁振子系统中，非零的贝利曲率会导致电中性的磁振子具有反常热霍尔效应，并且非平庸的能带结构会使体系出现受拓扑保护的表面态，这些性质使得拓扑磁振子材料在发展高效率、低耗散的新型电子自旋器件上具有十分重要的应用前景。但是，目前针对此晶体的生长工艺面临挑战，该晶体熔点较高，对晶体生长装置和坩埚有更高的要求，而且结晶困难，不易生长出大尺寸的单晶。
技术实现思路
根据本申请的一个方面，提供了一种拓扑量子单晶Cu3TeO6的制备方法，本申请提供的制备方法，能长成大单晶，晶形完美，易于分离。一种拓扑量子单晶Cu3TeO6的制备方法，所述拓扑量子单晶Cu3TeO6采用熔盐法制备，包括：将含有原料和助熔剂的混合物进行生长得到所述拓扑量子单晶Cu3TeO6；其中，所述原本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种拓扑量子单晶Cu

【技术特征摘要】
1.一种拓扑量子单晶Cu3TeO6的制备方法，其特征在于，所述拓扑量子单晶Cu3TeO6采用熔盐法制备，包括：将含有原料和助熔剂的混合物进行生长得到所述拓扑量子单晶Cu3TeO6；
其中，所述原料包括Cu源和Te源；
所述助熔剂为PbCl2。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Cu源包括Cu的氧化物；
所述Te源包括Te的氧化物。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Cu源、Te源与助熔剂的摩尔比为1：0.9～1.5：0.2～0.4；
其中，Cu源的摩尔数以铜源中Cu元素的摩尔数计；
Te源的摩尔数以Te源中Te元素的摩尔数计；
助熔剂的摩尔数以自身的摩尔数计。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Cu源、Te源与助熔剂的摩尔比为1：1.1～1.2：0.37～0.38；
其中，Cu源的摩尔数以铜源中Cu元素的摩尔数计；
Te源的摩尔数以Te源中Te元素的摩尔数计；
助熔剂的摩尔数以自身的摩尔数计。


5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：
a)获得含有原料和助熔剂的混合物；
b)获得步骤a)中的混合物的饱和点；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：何长振，李锦阳，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：福建;35