【技术实现步骤摘要】
一种降低LBO缺陷的生长方法
本专利技术涉及晶体生长领域，特别涉及一种降低LBO晶体缺陷领域。
技术介绍
LBO晶体一种光学性能非常优秀的非线性光学晶体，它具有宽透过范围、高光学均匀性、相对较大的有效二倍频系数和高的激光损伤阈值。它在光电子技术方面有着重要和广泛的应用，广泛应用于激光频率转化，光学参量振荡和光学参量放大等领域。随着激光功率越来越高，对LBO晶体器件的内部质量要求越来越高。
技术实现思路
常规晶体生长籽晶呈方形或圆形，籽晶和熔体呈面接触，由于接触面大，生长过程不可比避免就产生缺陷或者籽晶缺陷延伸到晶体内部等。本专利技术从源头降低晶体生长缺陷的形成，同时避免籽晶缺陷的延伸。具体方案如下：将定向好的籽晶底部5-10mm位置滚圆成圆锥尖角，具体见图1。籽晶下种后，和熔体呈点接触，有效避免缺陷的形成和籽晶缺陷的延伸。附图说明图1点接触籽晶示意图。具体实施方式实施例一：将硼酸和碳酸锂和助溶剂按比例配料，经过甩料、化料、搅拌、试晶等阶段，然后下种，...
【技术保护点】
1.一种降低LBO缺陷的生长方法其特征在于，将定向好的籽晶底部5-10mm位置滚圆成圆锥尖角，然后籽晶缓慢下种，当籽晶和熔体刚接触时停止，开始晶体生长。/n
【技术特征摘要】
1.一种降低LBO缺陷的生长方法其特征在于，将定向好的籽晶底部5-10mm位...
【专利技术属性】
技术研发人员：王昌运，陈伟，张星，陈秋华，谢发利，
申请(专利权)人：福建福晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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