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本发明利用籽晶点接触，生长LBO晶体，有效降低晶体内部缺陷的形成和籽晶缺陷的延伸。...
该专利属于福建福晶科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建福晶科技股份有限公司授权不得商用。

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