用于REBCO超导体块材再生长的方法技术

本发明专利技术提供一种用于REBCO超导体块材再生长的方法，包括以下步骤：步骤一，将空的管式炉升温到极高温度并保温；步骤二，将低性能的REBCO超导体块材快速放入高温的管式炉内进行热处理；步骤三，对上述热处理后的REBCO超导体块材进行顶面磨平处理；步骤四，将顶面磨平处理后的上述REBCO超导体块材置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长，实现低性能REBCO超导体块材的再生长。本发明专利技术强调了先对炉体升温后放入块材的热处理工艺步骤，将低性能的REBCO块材预先经过快速升温熔融的处理。该高温不受籽晶热稳定性的限制，可以促进低性能REBCO块材中组分的瞬间分解以及形核，以达到高温相Y

【技术实现步骤摘要】
用于REBCO超导体块材再生长的方法
本专利技术涉及一种用于REBCO超导体块材再生长的方法，属于超导材料再生长回收方法
，尤其适用于具有高包晶反应温度的低性能REBCO块材的性能提升。
技术介绍
自REBa2Cu3O7-δ(简称REBCO、RE123、稀土钡铜氧，其中RE选自Y、Gd、Sm、Nd等)超导体被发现以来，因其完全抗磁性，高临界电流密度和高冻结磁场等性质所带来的巨大商业潜能，如飞轮储能，永磁体，磁悬浮力元件等，引起了人们广泛的关注。然而，其过高的制备成本一直制约其发展。而昂贵的材料成本，如稀土元素粉末，银、铂贵金属等是造成超导体块材制备成本过高的因素之一。另外，REBCO块材常规的熔融批量生长工艺成功率一直不高，仅在60～70％左右。而即使织构生长成功，由于批量生长时炉体内不同位置的温场的差异，使得部分样品最终的性能并不理想，这严重局限了其的大规模利用。而这些熔融生长(MeltTexturedGrowth，简称MTG)成功却低性能的REBCO块材，若能加以再生长利用，其本身含有的材料资源将为降低制备成本带来巨大功效。因此，为了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于REBCO超导体块材再生长的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n步骤一，将空的管式炉进行升温并保持在最高温度；/n步骤二，将所述REBCO超导体块材快速放入高温的管式炉内进行热处理；/n步骤三，对所述热处理后的REBCO超导体块材进行顶面磨平处理；/n步骤四，将顶面磨平处理后的所述REBCO超导体块材置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长，实现REBCO超导体块材的再生长。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于REBCO超导体块材再生长的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤一，将空的管式炉进行升温并保持在最高温度；
步骤二，将所述REBCO超导体块材快速放入高温的管式炉内进行热处理；
步骤三，对所述热处理后的REBCO超导体块材进行顶面磨平处理；
步骤四，将顶面磨平处理后的所述REBCO超导体块材置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长，实现REBCO超导体块材的再生长。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述热处理为：使所述REBCO超导体块材快速放入1200℃～1400℃的恒温炉体内并保温1～3小时，随后快速拿出淬火，冷却至室温。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述顶部籽晶熔融织构生长工艺包括以下步骤：
将籽晶放置在所述REBCO超导体块材的磨平面的中心处，用作籽晶诱导生长；
将所述热处理后的REBCO超导体块材连同所述籽晶放入生长炉内；
使所述生长炉内的温度在第一时间内升至第一温度，保温1～3小时；
使所述生长炉内的温度在第二时间内升...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚忻，朱彦涵，黄思敏，万炎，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海;31