氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置。能够将高结晶度的氧化膜在短时间内成膜。该氧化膜的成膜方法具有：在将基板加热到第一温度的同时，将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾供给到所述基板的表面，从而使所述氧化膜在所述基板的所述表面外延生长的工序；以及在使所述氧化膜外延生长之后，在将所述氧化膜加热到比所述第一温度高的第二温度的同时，使所述氧化膜暴露于含有氧原子的流体中的工序。

【技术实现步骤摘要】
氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置
本说明书公开的技术涉及氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置。
技术介绍
在专利文献1中公开了氧化膜的成膜方法。在该成膜方法中，将溶解有氧化膜的材料的溶液的喷雾供给到基板的表面。通过喷雾附着于基板的表面，从而氧化膜在基板的表面外延生长。专利文献1：日本特开2015-070248号公报在使用喷雾来使氧化膜外延生长的情况下，基板的温度越低，氧化膜的成膜速率越快。另一方面，在使用喷雾的成膜方法中，如果在低温下使氧化膜外延生长，则外延生长的氧化膜的结晶中容易发生氧空位(氧原子位不存在氧原子而变为空位的缺陷)。其结果，氧化膜的结晶度变低。像这样，在以往的技术中，存在如果氧化膜的成膜速率变快则氧化膜的结晶度变低的问题。在本说明书中，提供能够将高结晶度的氧化膜在短时间成膜的技术。
技术实现思路
本说明书公开的氧化膜的成膜方法具有第一工序和第二工序。在第一工序中，在将基板加热到第一温度的同时，将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾供给到所述基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜方法，其作为氧化膜的成膜方法，具有：/n在将基板加热到第一温度的同时，将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾供给到所述基板的表面，从而使所述氧化膜在所述基板的所述表面外延生长的工序；以及/n在使所述氧化膜外延生长之后，在将所述氧化膜加热到比所述第一温度高的第二温度的同时，使所述氧化膜暴露于含有氧原子的流体中的工序。/n

【技术特征摘要】
20190605 JP 2019-1053501.一种成膜方法，其作为氧化膜的成膜方法，具有：
在将基板加热到第一温度的同时，将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾供给到所述基板的表面，从而使所述氧化膜在所述基板的所述表面外延生长的工序；以及
在使所述氧化膜外延生长之后，在将所述氧化膜加热到比所述第一温度高的第二温度的同时，使所述氧化膜暴露于含有氧原子的流体中的工序。


2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，
所述流体包括氧气、水蒸气及水雾的至少其中一种。


3.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，
所述流体包括由氧气或水蒸气组成的处理气体，
所述流体中的所述处理气体的分压比大气中的所述处理气体的分压高。


4.根据权利要求1至3中任意一项所述的成膜方法，其中，
所述氧化膜是半导体。


5.根据权利要求4所述的成膜方法，其中，
所述溶液含有掺杂物材料，该掺杂物材料含有在所述氧化膜中作为掺杂物发挥功能的原子，
在使所述氧化膜外延生长的所述工序中，使含有所述掺杂物的所述氧化膜外延生长。


6.根据权利要求5所述的成膜方法，其中，
所述掺杂物能够置换所述氧化膜中的氧位。


7.根据权利要求5或6所述的成膜方法，其中，
所述掺杂物为第17族(卤族)或第15族(氮族)...

【专利技术属性】
技术研发人员：永冈达司，西中浩之，吉本昌广，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，国立大学法人京都工芸纤维大学，
类型：发明
国别省市：日本;JP