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本发明公开了一种二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法，通过将废弃钆钡铜氧超导块材表面磨平抛光做为固相源坯块，采用顶部籽晶熔渗生长法，固相源坯块在籽晶的作用下重新诱导液相源进行二次单畴化生长。本发明整个过程中仅需要固态反应制备BaCuO...
该专利属于西安航空学院所有，仅供学习研究参考，未经过西安航空学院授权不得商用。

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