一种降低LBO晶体体吸收的晶体生长方法及其制备的晶体技术

一种降低LBO晶体体吸收的晶体生长方法及其制备的晶体，方法为采用硼酸和碳酸锂为原料，采用束腰形铂金坩埚和铂籽晶杆为生长装置，铂籽晶杆上具有多片平行且倾斜向上的铂片，束腰形铂金坩埚为中间小，两端大，上下左右呈轴对称结构。本发明专利技术在铂籽晶杆上面设置多片平行的铂片，以给该铂杆进行散热，从而降低吸收值；铂片以倾斜向上的方式设计，既又不影响籽晶下种以及观察晶体生长过程，又防止了挥发物的掉入；特殊设计的束腰形铂金坩埚，利用两端大，中间小形成的特殊温场，避免特定的铂籽晶杆对温度场的影响，同时保持加快熔体流动，降低硼酸体系粘度，减少晶体包络，提高了晶体质量。

【技术实现步骤摘要】
一种降低LBO晶体体吸收的晶体生长方法及其制备的晶体
本专利技术涉及晶体生长领域，特别涉及一种降低LBO晶体体吸收，且提高晶体生长质量的晶体生长方法。
技术介绍
LBO晶体一种光学性能非常优秀的非线性光学晶体，它具有宽透过范围、高光学均匀性、相对较大的有效二倍频系数和高的激光损伤阈值。它在光电子技术方面有着重要和广泛的应用，广泛应用于激光频率转化，光学参量振荡和光学参量放大等领域。随着激光功率越来越高，对LBO晶体器件的吸收提出了更高的要求。常规生长LBO晶体的方法采用刚玉籽晶杆，钼等助溶剂，生长得到晶体由于钼的引入，吸收值达到三四百ppm/cm以上。为了降低吸收值，不引入新的原子，现有技术中尝试采用硼酸和碳酸锂为原料，硼酸为助溶剂，通过该方法结合一些工艺参数调整制备的LBO晶体，通过该方法制备的LBO晶体的体吸收值相对于现有技术能够下降，略微低于三四百ppm/cm，在250ppm/cm左右。但是现有的硼酸的制备方法，LBO晶体的体吸收值降低的数值有限，采用硼酸为助溶剂体系，熔体粘度非常大，这使得LBO晶体生长中包络情况变得更加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低LBO晶体体吸收的晶体生长方法，其特征在于：/n采用硼酸和碳酸锂为原料，所述硼酸为助熔剂，采用束腰形铂金坩埚和铂籽晶杆为生长装置，/n其中，所述铂籽晶杆上具有多片平行的铂片，所述铂片在铂杆方向上彼此平行，所述束腰形铂金坩埚为中间小，两端大，上下左右呈轴对称结构，所述铂籽晶杆放置在所述束腰形铂金坩埚的中部。/n

【技术特征摘要】
1.一种降低LBO晶体体吸收的晶体生长方法，其特征在于：
采用硼酸和碳酸锂为原料，所述硼酸为助熔剂，采用束腰形铂金坩埚和铂籽晶杆为生长装置，
其中，所述铂籽晶杆上具有多片平行的铂片，所述铂片在铂杆方向上彼此平行，所述束腰形铂金坩埚为中间小，两端大，上下左右呈轴对称结构，所述铂籽晶杆放置在所述束腰形铂金坩埚的中部。


2.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于：
所述铂片相对于所述铂籽晶杆倾斜向上。


3.根据权利要求1或2所述的晶体生长方法，其特征在于：
所述铂片相对于所述铂籽晶杆倾斜角度为30~60°，优选为45°。


4.根据权利要求3所述的晶体生长方法，其特征在于：
所述铂杆直径5mm，铂片厚度0.2~1.0mm，长度5~10mm，宽度为2~5mm。


5.根据权利要求3所述的晶体生长方法，其特征在于：
多片所述铂片焊接在所述铂籽晶杆中。


6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王昌运，陈伟，张星，陈秋华，
申请(专利权)人：福建福晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35