存储器设备及其操作方法、存储器模块及其操作方法技术

公开了一种用于操作非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)的方法。该NVDIMM包括动态随机存取存储器(DRAM)和非易失性存储器(NVM)设备，该DRAM包括第一输入/输出(I/O)端口和第二I/O端口，并且第二I/O端口连接到NVM设备。该方法包括：接收外部提供的表示读取/写入命令和传输模式的命令信号；根据命令信号的传输模式来驱动复用器，以选择第一I/O端口和第二I/O端口中的至少一个I/O端口；以及根据命令信号的读取/写入命令，使用通过驱动复用器所选择的第一I/O端口和第二I/O端口中的至少一个I/O端口，在DRAM和NVM设备中的至少一个中读取或写入数据。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备及其操作方法、存储器模块及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2019年6月20日向美国专利商标局提交的美国临时申请No.62/863,936、于2020年3月17日向美国专利商标局提交的美国专利申请No.16/821,615、以及于2020年1月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0009397的优先权，这些申请的公开内容通过全文引用合并于此。
本专利技术构思涉及存储器设备、操作该存储器设备的方法、存储器模块、以及操作该存储器模块的方法，更具体地，涉及包括双端口的存储器设备、操作该存储器设备的方法、存储器模块、以及操作该存储器模块的方法。
技术介绍
诸如低功率双倍数据速率同步动态随机存取存储器(LPDDRSDRAM)之类的面向移动的存储器设备已经主要用于诸如智能手机、平板个人计算机(PC)和超级本之类的移动电子设备中。随着移动操作系统(OS)的容量为了支持在移动电子设备中执行的多任务处理而增加，需要具有低功耗和高速操作性能的移动电子设备。另外，由于诸如闪存之类的非易失性存储器的诸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种操作非易失性双列直插式存储器模块NVDIMM的方法，所述NVDIMM包括动态随机存取存储器DRAM和非易失性存储器NVM设备，所述DRAM包括第一输入/输出I/O端口和第二I/O端口，所述第二I/O端口连接到所述NVM设备，所述方法包括：/n接收外部提供的命令信号，所述命令信号表示读取/写入命令和传输模式；/n根据所述命令信号的所述传输模式来驱动复用器，以选择所述第一I/O端口和所述第二I/O端口中的至少一个I/O端口；以及/n根据所述命令信号的所述读取/写入命令，使用通过驱动所述复用器所选择的第一I/O端口和第二I/O端口中的至少一个I/O端口，在所述DRAM和所述NVM设备中的至少...

【技术特征摘要】
20200123 KR 10-2020-0009397;20190620 US 62/863,9361.一种操作非易失性双列直插式存储器模块NVDIMM的方法，所述NVDIMM包括动态随机存取存储器DRAM和非易失性存储器NVM设备，所述DRAM包括第一输入/输出I/O端口和第二I/O端口，所述第二I/O端口连接到所述NVM设备，所述方法包括：
接收外部提供的命令信号，所述命令信号表示读取/写入命令和传输模式；
根据所述命令信号的所述传输模式来驱动复用器，以选择所述第一I/O端口和所述第二I/O端口中的至少一个I/O端口；以及
根据所述命令信号的所述读取/写入命令，使用通过驱动所述复用器所选择的第一I/O端口和第二I/O端口中的至少一个I/O端口，在所述DRAM和所述NVM设备中的至少一个中读取或写入数据。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述复用器位于所述DRAM中，并且驱动所述复用器包括：
根据所述传输模式驱动第一切换设备，以选择性地将在所述第二I/O端口上接收的数据或从所述DRAM读取的数据施加到所述第一I/O端口；以及
根据所述传输模式驱动第二切换设备，以选择性地将在所述第一I/O端口上接收的数据或从所述DRAM接收的数据施加到所述第二I/O端口。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述命令信号还包括所述NVM的地址。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，根据所述命令信号的所述传输模式驱动所述复用器，以选择所述第一I/O端口和所述第二I/O端口两者，并且读取或写入数据包括：同时使用所述第一I/O端口和第二I/O端口两者。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述命令信号包括读取命令或写入命令之一、以及指示所述传输模式的标志信号。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述命令信号是嵌入有所述传输模式的指示的读取命令或写入命令之一。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外部提供的命令信号用于将数据从所述DRAM冲刷到所述NVM设备。


8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
向所述DRAM发送内部读取命令；
在向所述DRAM发送所述内部读取命令之后一段时间，向所述NVM设备发送内部写入命令；以及
根据所述内部读取命令和所述内部写入命令，通过所述DRAM的所述第二I/O端口将数据从所述DRAM传输到所述NVM设备。


9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述一段时间与所述DRAM的读取等待时间与所述NVM设备的写入等待时间之差相对应。


10.根据权利要求9所述的方法，其中，将数据从所述DRAM传输到所述NVM设备包括：
第一写入操作，在所述第一写入操作中，将来自所述DRAM的数据写入所述NVM设备的控制器的缓冲区；以及
第二写入操作，在所述第二写入操作中，将来自所述缓冲区的数据写入所述NVM设备的非易失性存储器单元阵列，
其中，所述写入等待时间是所述第一写入操作的等待时间。


11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述DRAM是用于所述NVM设备的高速缓存存储器。


12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述DRAM是多端口DRAM芯片的堆叠，并且所述方法还包括：
根据所述命令信号的所述传输模式来驱动所述复用器，以选择各自不同的多端口DRAM芯片的第一I/O端口和第二I/O端口、或者选择同一多端口DRAM芯片的第一I/O端口和第二I/O端口。


13.根据权利要求12所述的方法，其中，驱动所述复用器，以同时将第一数据从所述多端口DRAM芯片的堆叠中的一个多端口DRAM芯片的第一I/O端口或第二I/O端口传输到所述NVM设备，并且将第二数据从所述多端口DRAM芯片的堆叠中的另一个多端口DRAM芯片的第一I/O端口或第二I/O端口传输到外部设备。


14.根据权利要求12所述的方法，其中，驱动所述复用器，以同时将数据从所述多端口DRAM芯片的堆叠中的一个多端口DRAM芯片的第一I/O端口传输到所述NVM，并且将所述数据从所述多端口DRAM芯片的堆叠中的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林璇渶，李栽坤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR