存储器装置以及该存储器装置的操作方法制造方法及图纸

存储器装置以及该存储器装置的操作方法。一种存储器装置控制页缓冲器以确保数据的可靠性。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括配置用于存储数据的多个存储器单元；分别包括联接到总线的主锁存器和高速缓存锁存器的第一页缓冲器和第二页缓冲器，第一页缓冲器和第二页缓冲器分别通过联接到主锁存器的位线连接到存储器单元阵列；以及包括总线预充电控制器的控制逻辑，该总线预充电控制器用于基于基准位置与第一页缓冲器之间的距离以及基准位置与第二页缓冲器之间的距离来不同地设定总线的电压电平，以用于总线的预充电以将第一页缓冲器和第二页缓冲器中的每一个中所包括的高速缓存锁存器的数据发送到对应主锁存器。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置以及该存储器装置的操作方法
本公开总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置以及该存储器装置的操作方法。
技术介绍
存储装置是被配置为在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置包括被配置为将数据存储在诸如硬盘驱动器(HDD)的磁盘上的装置以及被配置为将数据存储在诸如固态驱动器(SSD)或存储卡的半导体存储器(即，非易失性存储器)上的装置。存储装置可包括被配置为存储数据的存储器装置以及被配置为控制存储器装置的存储控制器。存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。
技术实现思路
根据本公开的一方面，可提供一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括被配置用于存储数据的多个存储器单元；第一页缓冲器和第二页缓冲器，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：/n存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括配置用于存储数据的多个存储器单元；/n第一页缓冲器和第二页缓冲器，所述第一页缓冲器和所述第二页缓冲器分别包括联接到总线的主锁存器和高速缓存锁存器，所述第一页缓冲器和所述第二页缓冲器分别通过联接到所述主锁存器的位线连接到所述存储器单元阵列；以及/n控制逻辑，该控制逻辑包括总线预充电控制器，该总线预充电控制器被配置为基于基准位置与所述第一页缓冲器之间的距离以及所述基准位置与所述第二页缓冲器之间的距离来不同地设定所述总线的电压电平，以用于所述总线的预充电以将所述第一页缓冲器和所述第二页缓冲器中的每一个中所包括的高速缓存锁存...

【技术特征摘要】
20190607 KR 10-2019-00673471.一种存储器装置，该存储器装置包括：
存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括配置用于存储数据的多个存储器单元；
第一页缓冲器和第二页缓冲器，所述第一页缓冲器和所述第二页缓冲器分别包括联接到总线的主锁存器和高速缓存锁存器，所述第一页缓冲器和所述第二页缓冲器分别通过联接到所述主锁存器的位线连接到所述存储器单元阵列；以及
控制逻辑，该控制逻辑包括总线预充电控制器，该总线预充电控制器被配置为基于基准位置与所述第一页缓冲器之间的距离以及所述基准位置与所述第二页缓冲器之间的距离来不同地设定所述总线的电压电平，以用于所述总线的预充电以将所述第一页缓冲器和所述第二页缓冲器中的每一个中所包括的高速缓存锁存器的数据发送到对应主锁存器。


2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述总线预充电控制器生成具有施加到所述总线的总线预充电电平的电源电压以及用于使联接到所述总线的总线预充电晶体管导通的总线预充电信号。


3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述总线预充电晶体管利用晶体管来实现。


4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，当所述第一页缓冲器与所述控制逻辑之间的距离相对短于所述第二页缓冲器与所述控制逻辑之间的距离时，所述总线预充电控制器生成所述总线预充电信号，使得在将数据从包括在所述第一页缓冲器中的所述高速缓存锁存器发送到包括在所述第一页缓冲器中的所述主锁存器时施加所述电源电压的时间被设定为相对短于在将数据从包括在所述第二页缓冲器中的所述高速缓存锁存器发送到包括在所述第二页缓冲器中的所述主锁存器时施加所述电源电压的时间。


5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，当所述第一页缓冲器与所述控制逻辑之间的距离相对短于所述第二页缓冲器与所述控制逻辑之间的距离时，所述总线预充电控制器将在将数据从包括在所述第一页缓冲器中的所述高速缓存锁存器发送到包括在所述第一页缓冲器中的所述主锁存器时施加到所述总线的电源电压设定为相对低于在将数据从包括在所述第二页缓冲器中的所述高速缓存锁存器发送到包括在所述第二页缓冲器中的所述主锁存器时施加到所述总线的电源电压。


6.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑还包括延迟时间控制器，该延迟时间控制器被配置为控制预充电延迟时间，该预充电延迟时间是从存储在任一个所述主锁存器中的数据被存储在所述存储器单元阵列中的时间点到所述总线的预充电重新开始的时间点的时间。


7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，在所述预充电延迟时间逝去之后，所述总线预充电控制器生成所述总线预充电信号。


8.一种存储器装置，该存储器装置包括：
存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括配置用于存储数据的多个存储器单元；
第一页缓冲器和第二页缓冲器，所述第一页缓冲器和所述第二页缓冲器分别包括联接到总线的主锁存器和高速缓存锁存器，所述第一页缓冲器和所述第二页缓冲器分别通过联接到所述主锁存器的位线连接到所述存储器单元阵列；以及
控制逻辑，该控制逻辑包括锁存控制器，该锁存控制器被配置为基于所述第一页缓冲器和所述第二页缓冲器的位置来生成用于将存储在任一个所述高速缓存锁存器中的数据发送到任一个所述主锁存器的评估信号和获取信号。


9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述评估信号是施加到联接到各个所述高速缓存锁存器的评估晶体管的栅极以通过所述评估晶体管发送或接收数据的信号，并且
所述获取信号是施加到联接到各个所述主锁存器的获取晶体管的栅极以通过所述获取晶体管发送或接收数据的信号。


10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，当所述第一页缓冲器与所述控制逻辑之间的距离相对短于所述第二页缓冲器与所述控制逻辑之间的距离时，所述锁存控制器控制在将数据从包括在所述第一页缓冲器中的所述高速缓存锁存器发送到包括在所述第一页缓冲器中的所述主锁存器时作为所述评估信号被施加到所述评估晶体管的栅极的时间的评估时间相对短于所述第二页缓冲器的评估时间。


11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，当所述第一页缓冲器与所述控制逻辑之间的距离相对短于所述第二页缓冲器与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔元载，权兑辉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR