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公开了一种用于操作非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)的方法。该NVDIMM包括动态随机存取存储器(DRAM)和非易失性存储器(NVM)设备，该DRAM包括第一输入/输出(I/O)端口和第二I/O端口，并且第二I/O端口连接到NVM...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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