一种提高芯片测试温度控制精度的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种提高芯片测试温度控制精度的方法和装置，获得第一芯片预设测试温度；通过热敏电阻获得第一实时温度；获得第一温度差值；获得预定温度差值等级信息，获得第一温度差值等级；根据第一温度差值等级获得第一电流信息，通过温度控制器将第一电流信息提供至所述半导体制冷器；获得所述第一芯片的第二实时温度；将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型，获得所述第一训练模型的第一输出信息，所述第一输出信息包括满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息；通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器。解决了现有技术中存在对于芯片测试的温度控制不够准确的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种提高芯片测试温度控制精度的方法和装置
本专利技术涉及芯片测试温度控制领域，尤其涉及一种提高芯片测试温度控制精度的方法和装置。
技术介绍
随着芯片的复杂度越来越高，芯片内部的模块越来越多，如何能准确地进行芯片测试对于成本、设计制造端、芯片性能的了解及改进都有着重大意义。但本申请专利技术人在实现本申请实施例中专利技术技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：现有技术中存在对于芯片测试的温度控制不够准确的技术问题。
技术实现思路
本申请实施例通过提供一种提高芯片测试温度控制精度的方法和装置，解决了现有技术中存在对于芯片测试的温度控制不够准确的技术问题，达到更加准确的对芯片的测试温度进行准确控制的技术效果。鉴于上述问题，提出了本申请实施例提供一种提高芯片测试温度控制精度的方法和装置。第一方面，本申请实施例提供了一种提高芯片测试温度控制精度的方法，所述方法应用于芯片测试系统，所述芯片测试系统与温度控制器、半导体制冷器连接，其中，所述方法包括：获得第一芯片预设测试温度；通过热敏电阻获得第一芯片的第一实时温度；根据所述预设测试温度及第一实时温度获得第一温度差值；获得预定温度差值等级信息，根据所述预定温度差值等级信息获得所述第一温度差值等级；根据所述第一温度差值等级获得第一电流信息，通过所述温度控制器将所述第一电流信息提供至所述半导体制冷器；通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第二实时温度；将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型，所述第一训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；获得所述第一训练模型的第一输出信息，所述第一输出信息包括满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息；通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器。另一方面，本申请还提供了一种提高芯片测试温度控制精度的装置，所述装置包括：第一获得单元，所述第一获得单元用于获得第一芯片预设测试温度；第二获得单元，所述第二获得单元用于通过热敏电阻获得第一芯片的第一实时温度；第三获得单元，所述第三获得单元用于根据所述预设测试温度及第一实时温度获得第一温度差值；第四获得单元，所述第四获得单元用于获得预定温度差值等级信息，根据所述预定温度差值等级信息获得所述第一温度差值等级；第五获得单元，所述第五获得单元用于根据所述第一温度差值等级获得第一电流信息，通过所述温度控制器将所述第一电流信息提供至所述半导体制冷器；第六获得单元，所述第六获得单元用于通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第二实时温度；第一输入单元，所述第一输入单元用于将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型，所述第一训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；第七获得单元，所述第七获得单元用于获得所述第一训练模型的第一输出信息，所述第一输出信息包括满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息；第八获得单元，所述第八获得单元用于通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器。第三方面，本专利技术提供了一种提高芯片测试温度控制精度的装置，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其中，所述处理器执行所述程序时实现第一方面所述方法的步骤。本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：由于采用了根据第一芯片的预设测试温度及实时温度的第一温度差值，通过判断所述第一温度差值的温度差值等级获得第一电流信息，通过所述第一电流信息接入半导体制冷器去调整第一芯片测试温度，获得第二实时温度，将所述第二实时温度和预设测试温度输入第一训练模型的方式，基于训练模型不断自我修正调整的特性，达到获得第一芯片测试温度与预设测试温度差值满足第一标准的第二电流信息，通过所述第二电流信息调整芯片测试温度，进而对所述第一芯片的测试温度进行精确控制的技术效果。上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。附图说明图1为本申请实施例一种提高芯片测试温度控制精度的方法的流程示意图；图2为本申请实施例一种提高芯片测试温度控制精度的装置的结构示意图；图3为本申请实施例示例性电子设备的结构示意图。附图标记说明：第一获得单元11，第二获得单元12，第三获得单元13，第四获得单元14，第五获得单元15，第六获得单元16，第一输入单元17，第七获得单元18，第八获得单元19，总线300，接收器301，处理器302，发送器303，存储器304，总线接口306。具体实施方式本申请实施例通过提供一种提高芯片测试温度控制精度的方法和装置，解决了现有技术中存在对于芯片测试的温度控制不够准确的技术问题，达到更加准确的对芯片的测试温度进行准确控制的技术效果。下面，将参考附图详细的描述根据本申请的示例实施例。显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是本申请的全部实施例，应理解，本申请不受这里描述的示例实施例的限制。申请概述随着芯片的复杂度越来越高，芯片内部的模块越来越多，如何能准确地进行芯片测试对于成本、设计制造端、芯片性能的了解及改进都有着重大意义，但现有技术中存在对于芯片测试的温度控制不够准确的技术问题。针对上述技术问题，本申请提供的技术方案总体思路如下：本申请实施例提供了一种提高芯片测试温度控制精度的方法，所述方法应用于芯片测试系统，所述芯片测试系统与温度控制器、半导体制冷器连接，其中，所述方法包括：获得第一芯片预设测试温度；通过热敏电阻获得第一芯片的第一实时温度；根据所述预设测试温度及第一实时温度获得第一温度差值；获得预定温度差值等级信息，根据所述预定温度差值等级信息获得所述第一温度差值等级；根据所述第一温度差值等级获得第一电流信息，通过所述温度控制器将所述第一电流信息提供至所述半导体制冷器；通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第二实时温度；将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型，所述第一训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；获得所述第一训练模型的第一输出信息，所述第一输出信息包括满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息；通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器。在介绍了本申请基本原理后，下面将结合说明书附图来具体介绍本申请的各种非限制性的实施方式。实施例一如图1所示，本申请实施例提供了一种提高芯片测试温度控制精度的方法，其中，所述方法应用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高芯片测试温度控制精度的方法，其中，所述方法应用于芯片测试系统，所述芯片测试系统与温度控制器、半导体制冷器连接，其中，所述方法包括：/n获得第一芯片预设测试温度；/n通过热敏电阻获得第一芯片的第一实时温度；/n根据所述预设测试温度及第一实时温度获得第一温度差值；/n获得预定温度差值等级信息，根据所述预定温度差值等级信息获得所述第一温度差值等级；/n根据所述第一温度差值等级获得第一电流信息，通过所述温度控制器将所述第一电流信息提供至所述半导体制冷器；/n通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第二实时温度；/n将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型，所述第一训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；/n获得所述第一训练模型的第一输出信息，所述第一输出信息包括满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息；/n通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高芯片测试温度控制精度的方法，其中，所述方法应用于芯片测试系统，所述芯片测试系统与温度控制器、半导体制冷器连接，其中，所述方法包括：
获得第一芯片预设测试温度；
通过热敏电阻获得第一芯片的第一实时温度；
根据所述预设测试温度及第一实时温度获得第一温度差值；
获得预定温度差值等级信息，根据所述预定温度差值等级信息获得所述第一温度差值等级；
根据所述第一温度差值等级获得第一电流信息，通过所述温度控制器将所述第一电流信息提供至所述半导体制冷器；
通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第二实时温度；
将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型，所述第一训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；
获得所述第一训练模型的第一输出信息，所述第一输出信息包括满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息；
通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器。


2.如权利要求1所述的方法，其中，所述通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器，还包括：
判断所述预设测试温度是否满足第一预设温度阈值；
当所述预设测试温度满足第一预设温度阈值时，获得第一保护指令；
根据所述第一保护指令释放第一保护气流，根据所述第一保护气流保护所述第一芯片的测试环境。


3.如权利要求2所述的方法，其中，所述根据所述第一保护指令释放第一保护气流，还包括：
通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第四实时温度；
将所述第四实时温度输入第二训练模型，所述第二训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：第四实时温度和标识第五实时温度受保护气流影响后与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；
获得所述第二训练模型的第二输出信息，所述第二输出信息包括满足所述第五实时温度受保护气流影响后与预设测试温度误差符合第一标准时的第三电流信息；
通过所述温度控制器将所述第三电流信息提供至所述半导体制冷器。


4.如权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：
获得第二预设温度阈值；
判断所述预设测试温度是否超出第二预设温度阈值；
当所述预设测试温度超出第二预设温度阈值时，获得第一预警指令；
根据所述第一预警指令产生第一预警信息，根据所述第一预警信息对第一工作人员进行预警。


5.如权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：
通过所述芯片测试系统获得所述第一芯片的基础信息；
通过所述第一芯片的基础信息获得所述第一芯片的封装信息；
根据所述第一芯片的封装信息获得第一修正参数；
根据所述第一修正参数对所述第一训练模型进行修正处理；
获得经过修正处理的所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张华，薛银飞，黄河，
申请(专利权)人：上海菲莱测试技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31