一种高可靠性LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高可靠性LED芯片，包括发光结构和保护层，所述保护层覆盖在发光结构的外延层和透明导电层上；所述保护层包括依次设置的Al

【技术实现步骤摘要】
一种高可靠性LED芯片
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种高可靠性LED芯片。
技术介绍
为了提高LED芯片的电流扩展性能，现有的LED芯片一般在外延层上设置一层透明导电层，基体的热膨胀系数对膜的性能有较大的影响，由于透明导电层与外延层的热膨胀系数不一致，LED芯片经过长时间老化后，透明导电层会产生应力发生翘曲，影响LED芯片的电压、亮度以及可靠度。为提高LED芯片稳定的可靠性，阻挡外界环境对芯片的侵害，现有技术在利用PECVD方法在LED芯片的表面沉积一层SiO2薄膜，但SiO2薄膜只能起到防止水汽、灰尘等进入LED芯片的作用，LED芯片经过长时间老化/使用后，SiO2薄膜还是无法压住透明导电层，透明导电层会翘起，甚至脱落，导致LED芯片使用/老化过程电压升高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于，提供一种高可靠性LED芯片，可靠性高，有效防止透明导电层发生翘曲。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种高可靠性LED芯片，包括发光结构和保护层，所述保护层覆盖在发光结构的外延层和透明导电层上；<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高可靠性LED芯片，其特征在于，包括发光结构和保护层，所述保护层覆盖在发光结构的外延层和透明导电层上；/n所述保护层包括依次设置的Al

【技术特征摘要】
1.一种高可靠性LED芯片，其特征在于，包括发光结构和保护层，所述保护层覆盖在发光结构的外延层和透明导电层上；
所述保护层包括依次设置的Al2O3层、致密SiO2层和SiNx层，所述致密SiO2层包括若干周期高致密性SiO2层和低致密性SiO2层，高致密性SiO2层的薄膜致密性大于低致密性SiO2层的薄膜致密性。


2.如权利要求1所述的高可靠性LED芯片，其特征在于，每个周期中高致密性SiO2层的厚度为低致密性SiO2层的厚度为


3.如权利要求2所述的高可靠性LED芯片，其特征在于，致密SiO2层的总厚度为


4.如权利要求1所述的高可靠性LED芯片，其特征在于，所述Al2O3层的厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆绍坚，潘绮琳，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44