发光二极管、发光装置及其投影仪制造方法及图纸

技术编号:26481151 阅读:32 留言:0更新日期:2020-11-25 19:27
本发明专利技术提供了发光二极管、发光装置及其投影仪,通过于光源表面设置反射式偏振层让光源最大限度输出线偏振光,发光二极管或者发光装置设有漫反射部,发光二极管的可散射的粗化层和镜面反射层组合而成的漫反射部配合反射式偏振层,实现光多次选择萃取,避免出光的浪费。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管、发光装置及其投影仪
本专利技术涉及一种用于半导体发光的技术,特别是涉及用于增强光效的半导体装置。
技术介绍
目前,液晶显示应用是最主流的显示方式之一,如以LED为背光源之液晶显示屏,这类应用广泛存在于手机、电视、笔电等设备;而在投影方面,如3片LCD(液晶显示器)之穿透式投影、基于LCOS(液晶附硅)技术之反射式投影等。液晶前后分别设置偏振方向相互垂直的一片靠近光源的起偏器及一片靠近人眼的检偏器,通过液晶分子扭曲形成光开关以成像,通常搭配使用之LED光源均为自然光,无偏振方向,没有经过特殊处理,大量光线无法通过起偏器进入液晶面板被利用,存在光利用率较低的问题。
技术实现思路
为了解决
技术介绍
的问题,本专利技术提出了一种发光二极管,包括:由半导体外延材料制作的用于发光的半导体层序列,包括第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的发光层;第一电连接层,与第一半导体层电连接,第二电连接层,与第二半导体层电连接,第一电连接层和第二电连接层可以为金属或者透明导电材料;发光二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管,包括:/n半导体层序列,包括第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的发光层;/n第一电连接层,与第一半导体层电连接;/n第二电连接层,与第二半导体层电连接;/n一个出光面,发光层的至少部分光线从所述出光面发出;/n其特征在于,所述出光面设有反射式偏振层,发光层位于反射式偏振层和一个漫反射部之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管,包括:
半导体层序列,包括第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的发光层;
第一电连接层,与第一半导体层电连接;
第二电连接层,与第二半导体层电连接;
一个出光面,发光层的至少部分光线从所述出光面发出;
其特征在于,所述出光面设有反射式偏振层,发光层位于反射式偏振层和一个漫反射部之间。


2.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于,还包括支撑所述半导体层序列的衬底。


3.根据权利要求2所述的一种发光二极管,其特征在于,所述半导体层序列位于出光面和衬底之间,衬底作为所述漫反射部。


4.根据权利要求2所述的一种发光二极管,其特征在于,衬底位于半导体层序列远离出光面的一侧,漫反射部位于衬底与半导体层序列之间,或者漫反射部位于衬底远离半导体层序列的一侧且衬底为透光材料。


5.根据权利要求2所述的一种发光二极管,其特征在于,漫反射部直接与衬底相接。


6.根据权利要求2所述的一种发光二极管,其特征在于,漫反射部的表面具有不规则图形或者内部具有反射粒子。


7.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于,反射式偏振层和半导体层序列之间还设有波长转换层或者透明绝缘层或者透明导电层。


8.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于,反射式偏振层为反射金属周期性线栅结构。


9.根据权利要求8所述的一种发光二极管,其特征在于,图型周期为100nm至200nm。


10.根据权利要求8所述的一种发光二极管,其特征在于,反射金属周期性线栅结构的宽度为50nm至200nm。


11.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于,反射式偏振层包括透明承载部,用于承载反射金属周期性线栅结构。


12.一种发光二极管,包括:
半导体层序列,包括第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的发光层;
第一电连接层,与第一半导体层电连接;
第二电连接层,与第二半导体层电连接;
一个出光面,发光层的至少部分光线从所述出光面发出;
其特征在于,所述出光面设有反射式偏振层,发光二极管包括镜面反射层和非平整层,发光层位于反射式偏振层和镜面反射层之间,且非平整层位于发光层和反射式偏振层之间。


13.根据权利要求12所述的一种发光二极管,其特征在于,非平整层的平整度Ra为0.5μm至5μm。


14.根据权利要求12所述的一种发光二极管,其特征在于,非平整层包括粗化面或者内部镶嵌有反射粒子层。


15.根据权利要求12所述的一种发光二极管,其特征在于,半导体层序列靠近出光面的一侧为非平整面。


16.根据权利要求12所述的一种发光二极管,其特征在于,还包括支撑半导体层序列的衬底,半导体层序列位于衬底和出光面之间。


17.根据权利要求12所述的一种发光二极管,其特征在于,镜面反射层位于衬底与半导体层序列之间。


18.根据权利要求12所述的一种发光二极管,其特征在于,第二半导体层为N型,且第二半导体层具有非平整面。


19.根据权利要求12所述的一种发光二极管,其特征在于,发光二极管的出光角度不大于120°。


20.根据权利要求12所述的一种发光二极管,其特征在于,半导体层序列的厚度不大于10μm。


21.根据权利要求12所述的一种发光二极管,其特征在于,反射式偏振层和半导体层序列之间还设有波长转换层或...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄少华曾晓强杨剑锋黄泽超陈博松
申请(专利权)人:朗明纳斯光电厦门有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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