半导体发光元件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体发光元件，包含一叠层结构具有一反射层、一第一电性半导体叠层位于反射层上、一主动层位于第一电性半导体叠层上，以及一第二电性半导体叠层位于主动层上；以及一第一电极位于叠层结构上，其中叠层结构还包含一氧化层不露出于叠层结构的外侧壁。

【技术实现步骤摘要】
半导体发光元件本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201510347672.4，申请日：2015年06月23日，专利技术名称：半导体发光元件)的分案申请。
本专利技术涉及一种具有反射层的发光二极管的结构及其制造方法。
技术介绍
传统的发光二极管其活性层产生的可见光往下入射至成长基板时，如果成长基板的能隙小于活性层的能隙，可见光会被成长基板吸收，而降低发光效率。为了避免可见光被成长基板吸收，现有技术包含加入布拉格反射结构(DistributedBraggReflector；DBR)于成长基板上，用于反射入射向成长基板的可见光，并减少成长基板吸收。然而一般DBR反射结构叠层间的折射率差异不大，反射效果有限。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体发光元件，包含一叠层结构具有一反射层、一第一电性半导体叠层位于反射层上、一主动层位于第一电性半导体叠层上，以及一第二电性半导体叠层位于主动层上；以及一第一电极位于叠层结构上，其中叠层结构还包含一氧化层不露出于叠层结构的外侧壁。附图说明图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光元件，其特征在于，包含：/n半导体叠层，具有：/n反射层；/n第一电性半导体叠层，位于该反射层上；/n主动层，位于该第一电性半导体叠层上；以及/n第二电性半导体叠层，位于该主动层上且包含接触层；/n多个孔洞；以及/n多个氧化区，围绕该多个孔洞中的每一个；以及/n第一电极，位于该半导体叠层上；/n其中该多个孔洞未被该接触层所覆蓋。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件，其特征在于，包含：
半导体叠层，具有：
反射层；
第一电性半导体叠层，位于该反射层上；
主动层，位于该第一电性半导体叠层上；以及
第二电性半导体叠层，位于该主动层上且包含接触层；
多个孔洞；以及
多个氧化区，围绕该多个孔洞中的每一个；以及
第一电极，位于该半导体叠层上；
其中该多个孔洞未被该接触层所覆蓋。


2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该半导体叠层还具有外侧壁，其中该些氧化区不露出于该外侧壁。


3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该反射层包含多对第一折射率层与第二折射率层交互堆叠，且该第一折射率层与该第二折射率层的折射率相异。


4.如权利要求3所述的半导体发光元件，其中该第一折射率层与该第二折射率层的对数介于5到50之间。...

【专利技术属性】
技术研发人员：张敏南，骆武聪，李世昌，杨宇智，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71