一种可改变正向光和侧向光强度的倒装发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体发光二极管技术领域，涉及一种可改变正向光和侧向光强度的倒装发光二极管及其制备方法。本发明专利技术通过芯片制备时增加芯片衬底面和出光面的特殊DBR膜层设计，合理分配出光面的正向和侧向光强度，增大光角，以确保芯片在背光板应用时使背光发光均匀。本发明专利技术同样适用于除Mini LED以外其他的需要改变出光面的正侧向光强弱的应用芯片。本发明专利技术适用于其它倒装LED芯片。

【技术实现步骤摘要】
一种可改变正向光和侧向光强度的倒装发光二极管及其制备方法
本专利技术属于半导体发光二极管
，涉及一种可改变正向光和侧向光强度的倒装发光二极管及其制备方法。
技术介绍
随着时代发展，各面板厂商相继推出使用倒装MiniLED应用为背光的产品来媲美OLED的显示屏,且具有更高的色彩显示度和产品寿命，且在某些领域是OLED无法替代的，但由于LED芯片光主要集中在出光面的正上方向,侧方向光强随角度增大逐渐变暗，导致应用端背光板会出现由于光强分布不均匀亮点和暗区的现象。本专利提供了一种可变光强和光角的设计方案。本专利技术通过对倒装芯片进行正反面两侧的设计，使用特殊设计的反射结构改变蓝宝石出光面的正向和侧向光强使光角变化，合理分配出光强度,使应用端芯片发光均匀,无明暗区现象。
技术实现思路
本专利技术的目的在于通过芯片制备时增加芯片衬底面和出光面的特殊DBR膜层设计，合理分配出光面的正向和侧向光强度,增大光角，以确保芯片在背光板应用时使背光发光均匀。本专利技术的专利技术点在于使用新的倒装芯片制备方法，设计正反本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可改变正向光和侧向光强度的倒装发光二极管，其特征在于，该可改变正向光和侧向光强度的倒装发光二极管包括衬底、在衬底上依次生长的包括N型半导体层、发光层和P型半导体层的外延层，分别在N型半导体层和P型半导体层上形成PN电极，在P型半导体层的外延层一侧沉积第一DBR反射层，第一DBR反射层在0～90度入射时对蓝光波段有较高的反射率，在第一DBR反射层上形成PN焊盘，PN焊盘对应与PN电极导通，再在衬底面即蓝宝石出光面沉积第二DBR反射层；将蓝宝石面正向出光减弱及改变大角度入射光光路方向成为侧向光，根据需求合理分配蓝宝石面正向和侧向光强。/n

【技术特征摘要】
1.一种可改变正向光和侧向光强度的倒装发光二极管，其特征在于，该可改变正向光和侧向光强度的倒装发光二极管包括衬底、在衬底上依次生长的包括N型半导体层、发光层和P型半导体层的外延层，分别在N型半导体层和P型半导体层上形成PN电极，在P型半导体层的外延层一侧沉积第一DBR反射层，第一DBR反射层在0～90度入射时对蓝光波段有较高的反射率，在第一DBR反射层上形成PN焊盘，PN焊盘对应与PN电极导通，再在衬底面即蓝宝石出光面沉积第二DBR反射层；将蓝宝石面正向出光减弱及改变大角度入射光光路方向成为侧向光，根据需求合理分配蓝宝石面正向和侧向光强。


2.根据权利要求1所述的可改变正向光和侧向光强度的倒装发光二极管，其特征在于，所述的DBR反射层为高折射率的膜层和低折射率的膜层交替组成，高折射率的膜层为TiO、TiO2、Ti3O5中一种或两种以上组合的膜层，低折射率的膜层为SiO2、SiNx中一种或两种以上组合的膜层；DBR反射层起到反射层和保护层两个作用。


3.一种可改变正向光和侧向光强度的倒装发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供一衬底，依次在衬底上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成外延层；
S2、在LED晶圆上分别在P型半导体层和N型半导体层上形成PN电极，该PN电极底层为高反射金属层；
S3、沉积制作外延层一侧的第一DBR反射层，第一DBR反射层为高折射率的膜层和低折射率的膜层交替组成，高折射率的膜层为TiO、TiO2、Ti3O5中一种或两种以上组合的膜层，低折射率的膜层为SiO2、SiNx中一种或两种以上组合的膜层；第一DBR反射层起到反射层和保护层两个作用；
第一DBR反射层的0度角设计反射频宽在380～900nm之间，高折射率的膜层和低折射率...

【专利技术属性】
技术研发人员：王思博，廖汉忠，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32