LED芯片结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种LED芯片结构及其制备方法。所述的LED芯片结构包括：欧姆接触点金属结构；外延结构，包括第一导电类型窗口层，所述欧姆接触点金属结构形成于所述第一导电类型窗口层的表面，所述第一导电类型窗口层的表面除所述欧姆接触点金属结构以外的区域为粗化界面；ODR介质膜层，形成于所述第一导电类型窗口层的表面，所述ODR介质膜层与所述第一导电类型窗口层的粗化界面之间具有纳米孔洞；ODR金属反射层，形成于所述ODR介质膜层远离所述第一导电类型窗口层的表面。其优点是：可以增强LED芯片的光取出率提高亮度，并且其外延层能够承受较大的外力。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体器件制作
，特别是涉及一种LED芯片结构及其制备方法。
技术介绍
通过表面粗化来提高LED出光效率的方法已被业界广泛采用，成为LED行业的一种惯用技术。目前，垂直薄膜(VerticalThinFilm)结构的AlGaInP基LED芯片结构主要采用表面粗化和侧壁粗化，如图1所示，图示为一种侧壁粗化的AlGaInP基LED芯片结构，其P型窗口层1’与ODR(Omni-DirectionalReflector)金属反射层3’之间的ODR介质膜层2’之间的界面均为平整界面，由于ODR介质膜层2’与P型窗口层1’紧密贴合，基本无孔隙，ODR介质膜层2’的折射率难以进一步降低，ODR金属反射层3’的反射率难以提高。由此可见，现有的LED芯片结构的光取出率即亮度依旧较低。目前，还有一种半球形凹槽ODR的LED芯片结构，如图2所示，其通过在芯片结构内形成折射率接近1的准真空层，以此提高ODR反射率，具体的，其具有半球形凹槽4’，凹槽4’直径在4～5um，凹槽4’深度约为0.5um，但是由于凹槽4’的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片结构，其特征在于，所述的LED芯片结构包括：/n欧姆接触点金属结构；/n外延结构，包括第一导电类型窗口层，所述欧姆接触点金属结构形成于所述第一导电类型窗口层的表面，所述第一导电类型窗口层的表面除所述欧姆接触点金属结构以外的区域为粗化界面；/nODR介质膜层，形成于所述第一导电类型窗口层的表面，所述ODR介质膜层与所述第一导电类型窗口层的粗化界面之间具有纳米孔洞；/nODR金属反射层，形成于所述ODR介质膜层远离所述第一导电类型窗口层的表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片结构，其特征在于，所述的LED芯片结构包括：
欧姆接触点金属结构；
外延结构，包括第一导电类型窗口层，所述欧姆接触点金属结构形成于所述第一导电类型窗口层的表面，所述第一导电类型窗口层的表面除所述欧姆接触点金属结构以外的区域为粗化界面；
ODR介质膜层，形成于所述第一导电类型窗口层的表面，所述ODR介质膜层与所述第一导电类型窗口层的粗化界面之间具有纳米孔洞；
ODR金属反射层，形成于所述ODR介质膜层远离所述第一导电类型窗口层的表面。


2.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于：
所述ODR介质膜层与所述ODR金属反射层的接触面为平坦化界面。


3.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于：
所述ODR介质膜层远离所述外延结构的一面与所述欧姆接触层远离所述外延结构的一面等高。


4.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于：
所述第一导电类型窗口层的表面的第一导电类型离子的掺杂浓度较其主体部分的第一导电类型离子的掺杂浓度高。


5.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于：
所述ODR介质膜层的厚度满足式中，k为自然数，n为所述ODR介质膜层的有效折射率，λ为所述LED芯片结构的发光峰值波长。


6.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，还包括：
金属键合层，形成于所述ODR金属反射层远离所述ODR介质膜层的表面；
永久衬底，形成于所述金属键合层远离所述ODR介质膜层的表面；
背电极，形成于所述永久衬底远离所述ODR介质膜层的表面。


7.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于：
所述外延结构远离所述ODR金属反射层的一侧形成有主电极；
所述外延结构的侧壁以及表面除所述主电极以外的区域为粗化界面。


8.一种LED芯片结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供具有第一导电类型窗口层的外延片；
于所述第一导电类型窗口层的表面形成欧姆接触点金属结构，于所述第一导电类型窗口层的表面除所述欧姆接触点金属结构以外的区域形成粗化界面；
于所述第一导电类型窗口层的表面形成ODR介质膜层，使所述ODR介质膜层与所述第一导电类型窗口层的粗化界面之间产生纳米孔洞；
于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洲，王洪占，郭凤丽，吴奇隆，蔡和勋，蔡端俊，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32