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本发明涉及一种LED芯片结构及其制备方法。所述的LED芯片结构包括：欧姆接触点金属结构；外延结构，包括第一导电类型窗口层，所述欧姆接触点金属结构形成于所述第一导电类型窗口层的表面，所述第一导电类型窗口层的表面除所述欧姆接触点金属结构以外的区...
该专利属于扬州乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。

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