图形化衬底和LED外延结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种图形化衬底和LED外延结构，图形化衬底包括基板、缓冲层以及图形化层；缓冲层设于所述基板之上，图形化层设于缓冲层背离基板的一侧；图形化层包含多个微结构，相邻两个微结构之间间隔一间隙露出缓冲层形成生长区，微结构的表面形成多个凹陷的次级微结构。通过将表面形成有次级微结构的微结构设于缓冲层之上，从而，一方面，通过微结构表面的次级微结构，能够提前释放在生长过程中产生的应力，也可对有源层产生的光形成多次反射，增加轴向出光率；另一方面，将微结构设于缓冲层之上，减少了半导体层侧向生长产生的穿透位错，同时提高了半导体层和图形化衬底之间的折射率差值，更有利于LED出光效率的提高。

【技术实现步骤摘要】
图形化衬底和LED外延结构
本技术涉及半导体发光器件领域，具体地涉及一种图形化衬底和LED外延结构。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)作为一种新型节能、环保固态照明光源，具有能效高、体积小、重量轻、响应速度快以及寿命长等优点，使其在很多领域得到了广泛应用。目前的主流半导体发光材料如氮化镓等，存在和衬底晶格失配和热失配等问题，从而影响器件的使用寿命和发光效率。为解决这个问题，通常在衬底上生长氮化铝缓冲层来作为过渡层以减小晶格失配等问题。同时，图形化蓝宝石衬底的技术近年来也在迅速发展，其在蓝宝石基板上制备微/纳米尺寸的微结构图形阵列，一方面，微结构能使半导体层实现侧向外延生长，减少了半导体层的位错密度，弛豫生长过程中产生的应力；另一方面，通过微结构对有源层产生的光的反射、衍射作用而减少因材料折射率差异所造成的内部全反射，从而通过多方面的作用提高LED的出光效率。当前的图形化蓝宝石衬底，氮化铝缓冲层生长于微结构之上，一方面，基于微结构侧壁的氮化铝缓冲层生长的半导体层，会产生更多的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图形化衬底，其特征在于：/n所述图形化衬底包括基板、缓冲层以及图形化层；/n所述缓冲层设于所述基板之上，所述图形化层设于所述缓冲层背离所述基板的一侧；/n所述图形化层包含多个微结构，相邻两个所述微结构间隔一间隙露出所述缓冲层形成生长区，所述微结构的表面形成多个凹陷的次级微结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种图形化衬底，其特征在于：
所述图形化衬底包括基板、缓冲层以及图形化层；
所述缓冲层设于所述基板之上，所述图形化层设于所述缓冲层背离所述基板的一侧；
所述图形化层包含多个微结构，相邻两个所述微结构间隔一间隙露出所述缓冲层形成生长区，所述微结构的表面形成多个凹陷的次级微结构。


2.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于：所述图形化层为二氧化硅层。


3.根据权利要求2所述的图形化衬底，其特征在于：所述缓冲层为氮化物缓冲层，其厚度范围为0.1nm～1μm。


4.根据权利要求3所述的图形化衬底，其特征在于：所述缓冲层在与所述微结构的结合处还形成有一凸起的微结构基底，所述微结构设于所述微结构基底之上...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32