一种倒装Micro LED全彩量子点芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种倒装Micro LED全彩量子点芯片。本实用新型专利技术提供的倒装Micro LED全彩量子点芯片，可以在单个LED芯片上形成红蓝绿的发光结构，无需设置RGB阵列，可大幅巨量转移效率和良率；单颗芯片不仅可以完成全彩发光，而且还节省晶圆面积和芯片成本，有利于下游企业大规模生产；附加量子材料可使芯片的显示效果不受电流的波动而受到影响。本实用新型专利技术通过在所述倒装Micro LED全彩量子点芯片中，设置三个负极和一个公用正极，可在一个芯片上实现红、绿、蓝单独光色发光，或两种光色同时发光，或三种光色同时发光的效果，实现发光光色可调。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装MicroLED全彩量子点芯片
本技术属于LED芯片
，具体涉及一种倒装MicroLED全彩量子点芯片。
技术介绍
LED灯是现在广泛应用的照明灯具，具有体积小、亮度高、耗电量低、发热少、使用寿命长、环保等优点，并且具有繁多的颜色种类，深受消费者的喜爱。LED灯的生产可大致分为三个步骤：一是LED发光芯片的制作，二是线路板的制作和LED发光芯片的封装，三是LED灯的组装。LED灯内最重要的部件是LED发光芯片，LED发光芯片的主体是一个发光PN结，主要由N型半导体、P型半导体和夹在两者之间的发光层组成，N型半导体和P型半导体上分别设置有金属电极，并在通电后发光。LED发光芯片发出的光线颜色主要由芯片材料决定，如现有的LED发光芯片大多采用氮化镓半导体材料制作，发出蓝光。采用蓝光LED发光芯片制作其他的单色LED灯时，需要在封装步骤中掺入荧光粉，荧光粉受激发后发出的光与LED发光芯片的蓝光混合后成为其他颜色的光线。但现有技术中，LED芯片一般是单色芯片，单个芯片无法获得全彩色的效果，具有如下缺陷：通过固晶设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装Micro LED全彩量子点芯片，其特征在于，所述倒装Micro LED全彩量子点芯片包括衬底和依次设置于所述衬底表面的第一蓝光外延层、第一氧化铟锡层、第一发光量子点层、第二蓝光外延层、第二氧化铟锡层、第二发光量子点层、第三蓝光外延层、第三氧化铟锡层和DBR反射层；/n所述倒装Micro LED全彩量子点芯片还包括第一N电极、第二N电极、第三N电极和第四P电极，所述的第一N电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第一蓝光外延层中，所述第二N电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第二蓝光外延层中，所述第三N电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第三蓝光外延层中，所述第四P电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第一蓝光...

【技术特征摘要】
1.一种倒装MicroLED全彩量子点芯片，其特征在于，所述倒装MicroLED全彩量子点芯片包括衬底和依次设置于所述衬底表面的第一蓝光外延层、第一氧化铟锡层、第一发光量子点层、第二蓝光外延层、第二氧化铟锡层、第二发光量子点层、第三蓝光外延层、第三氧化铟锡层和DBR反射层；
所述倒装MicroLED全彩量子点芯片还包括第一N电极、第二N电极、第三N电极和第四P电极，所述的第一N电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第一蓝光外延层中，所述第二N电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第二蓝光外延层中，所述第三N电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第三蓝光外延层中，所述第四P电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第一蓝光外延层中。


2.如权利要求1所述的倒装MicroLED全彩量子点芯片，其特征在于，所述第一蓝光外延层、第二蓝光外延层和第三蓝光外延层的组成各自独立地包括：依次设置的蓝光N型氮化镓层、蓝光有源层和蓝光P型氮化镓层；
所述蓝光有源层包括蓝光多量子阱材料结构。


3.如权利要求1所述的倒装MicroLED全彩量子点芯片，其特征在于，所述第一蓝光外延层、第二蓝光外延层和第三蓝光外延层的组成皆含有：蓝光N型氮化镓层、蓝光有源层和蓝光P型氮化镓层；
所述第一N电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第一蓝光外延层中的蓝光N型氮化镓层；
所述第二N电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第二蓝光外延层中的蓝光N型氮化镓层；
所述第三N电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第三蓝光外延层中的蓝光N型氮化镓层；
所述第四P电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第一蓝光外延层中的蓝光P型氮化镓层。


4.如权利要求1所述的倒装MicroLED全彩量子点芯片，其特征在于，所述第一发光量子点层和第二蓝光外延层之间，还包括第一透明键合材料层；
所述第二发光量子点层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：李漫铁，余亮，屠孟龙，
申请(专利权)人：深圳雷曼光电科技股份有限公司，惠州雷曼光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44