一种微发光二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种微发光二极管，其包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层为不同类型的半导体层，所述有源层包括依次层叠的第一量子阱层及第二量子阱层，在所述第二量子阱层及所述第二半导体层上形成有纳米环结构，所述第一量子阱层发射第一颜色的光，所述第二量子阱层与所述纳米环侧壁对应的部分发射第二颜色的光，所述第一颜色与所述第二颜色不相同，所述第一半导体层电性连接有第一电极，所述第二半导体层电性连接有第二电极。纳米环会使原本量子阱应力释放而使量子局限斯塔克效应减少而产生蓝光。

【技术实现步骤摘要】
一种微发光二极管
本技术涉及LED显示装置制造
，尤其涉及一种微发光二极管。
技术介绍
一般的发光二极管(Light-EmittingDiode,LED)芯片包含基板和磊晶层，其厚度约在100～500μm，且尺寸介于100～1000μm。而更进一步正在进行的微LED显示面板研究在于，将LED表面厚约4～5μm的磊晶层用物理或化学机制剥离(Lift-off)，再移植至电路基板上。微LED显示器综合薄膜晶体管液晶显示器(Thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，TFT-LCD)和LED两大技术特点，在材料、制程、设备的发展较为成熟，产品规格远高于目前的TFT-LCD或有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)，应用领域更为广泛包含软性、透明显示器，为一可行性高的次世代平面显示器技术。目前微LED芯片在全彩AR微型显示器和移动/大型显示器应用有两种方法，一种是使用三原色(RedGreenBlue，RGB)微LED自然混色；另一种是量子点(QuantumDots，Q本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：/n依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层为不同类型的半导体层，所述有源层包括依次层叠的第一量子阱层及第二量子阱层；/n在所述第二量子阱层及所述第二半导体层上形成有纳米环结构，所述第一量子阱层发射第一颜色的光，所述第二量子阱层与所述纳米环侧壁对应的位置发射第二颜色的光；/n所述纳米环的横截面形状为圆形、正方形、长方形及任意一种闭环形状；/n所述纳米环内填充有颜色转换材料，所述颜色转换材料将所述第一量子阱层发出的第一颜色的光线转换成第三颜色的光，所述第一颜色、所述第二颜色及所述第三颜色均不相同；/n所述第一半导...

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：
依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层为不同类型的半导体层，所述有源层包括依次层叠的第一量子阱层及第二量子阱层；
在所述第二量子阱层及所述第二半导体层上形成有纳米环结构，所述第一量子阱层发射第一颜色的光，所述第二量子阱层与所述纳米环侧壁对应的位置发射第二颜色的光；
所述纳米环的横截面形状为圆形、正方形、长方形及任意一种闭环形状；
所述纳米环内填充有颜色转换材料，所述颜色转换材料将所述第一量子阱层发出的第一颜色的光线转换成第三颜色的光，所述第一颜色、所述第二颜色及所述第三颜色均不相同；
所述第一半导体层电性连接有第一电极；
所述第二半导体层电性连接有第二电极。


2.如权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层为N型半导体层，其包括依次层叠设置的低温GaN层、无掺杂GaN层及N型GaN层，所述第二半导体层为P型半导体层。


3.如权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一量子阱层及所述第二量子阱层为绿光量子阱层，所述第一量子阱层及所述第二量子阱层的材质包括InGaN和...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨顺贵，黄国栋，林雅雯，黄嘉宏，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50