一种正极性LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种正极性LED芯片及其制作方法，外延结构层的四周侧壁为倾斜侧壁，倾斜侧壁与外延结构层底面的夹角为锐角，且覆盖外延结构层四周侧壁和顶面的第一电极具有第一镂空区域，第一镂空区域暴露出外延结构层顶面的部分区域，因此，发光结构层发出的光线可以从第一镂空区域出射，并且，由于第一电极与覆盖外延结构层四周侧壁的绝缘层构成ODR层，因此，会对发光结构层发射到四周侧壁的光线进行反射，此外，外延结构层中位于其底面的DBR反射层也会对发光结构层发出的光线进行反射，从而使得发光结构层发出的光线仅从第一镂空区域出射，进而使得LED芯片的出光角度较小，能够满足精密的对射式光电开关等特殊领域的要求。

A positive LED chip and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
一种正极性LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及半导体制造
，更具体地说，涉及一种正极性LED芯片及其制作方法。
技术介绍
常规的正极性LED芯片的出光面包括芯片的正面和四个侧壁，也就是说，常规的正极性LED芯片为五面出光的芯片。但是，在精密的对射式光电开关等特殊领域，要求LED芯片的发光角度很小，且侧壁无杂散光出射，这就导致常规的正极性LED芯片无法满足其使用要求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种正极性LED芯片及其制作方法，以减小正极性LED芯片的发光角度，使其满足精密的对射式光电开关等特殊领域的要求。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种正极性LED芯片，包括：衬底；位于所述衬底正面的外延结构层，所述外延结构层包括依次位于所述衬底表面的缓冲层、发光结构层和窗口层，所述外延结构层的四周侧壁为倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与所述外延结构层底面的夹角为锐角；覆盖所述外延结构层四周侧壁的绝缘层；覆盖所述外延结构层四周侧壁和顶面的第一电极，所述第一电极与所述外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种正极性LED芯片，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底正面的外延结构层，所述外延结构层包括依次位于所述衬底表面的缓冲层、发光结构层和窗口层，所述外延结构层的四周侧壁为倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与所述外延结构层底面的夹角为锐角；/n覆盖所述外延结构层四周侧壁的绝缘层；/n覆盖所述外延结构层四周侧壁和顶面的第一电极，所述第一电极与所述外延结构层的顶面欧姆接触，所述第一电极与所述绝缘层构成ODR层，所述第一电极具有第一镂空区域，所述第一镂空区域暴露出所述外延结构层顶面的部分区域，以使所述发光结构层发出的光线从所述第一镂空区域出射；/n位于所述衬底背面的第二电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种正极性LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底正面的外延结构层，所述外延结构层包括依次位于所述衬底表面的缓冲层、发光结构层和窗口层，所述外延结构层的四周侧壁为倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与所述外延结构层底面的夹角为锐角；
覆盖所述外延结构层四周侧壁的绝缘层；
覆盖所述外延结构层四周侧壁和顶面的第一电极，所述第一电极与所述外延结构层的顶面欧姆接触，所述第一电极与所述绝缘层构成ODR层，所述第一电极具有第一镂空区域，所述第一镂空区域暴露出所述外延结构层顶面的部分区域，以使所述发光结构层发出的光线从所述第一镂空区域出射；
位于所述衬底背面的第二电极。


2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述倾斜侧壁与所述外延结构层底面的夹角的范围为大于5°、小于或等于85°。


3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片具有切割沟道，所述切割沟道延伸至所述衬底，并使所述外延结构层形成倾斜侧壁；所述绝缘层完全覆盖所述切割沟道的底部及所述倾斜侧壁、部分覆盖所述外延结构层的顶面；所述外延结构层的顶面与倾斜侧壁交界处的边缘至少1微米宽度的区域完全被所述绝缘层覆盖。


4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述镂空区域的形状为圆形、多边形或不连续的圆环形。


5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极与所述外延结构层的顶面欧姆接触的区域为第一区域，所述第一区域与焊线电连接。


6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，还包括位于所述第一区域的电极加厚层，所述电极加厚层位于所述第一电极和所述焊线之间，且所述电极加厚层与所述第一电极和所述焊线电连接。


7.一种正极性LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底正面...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洲，王洪占，杭伟，吴奇隆，蔡和勋，蔡端俊，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32