微型元件及其结构制造技术

本发明专利技术提供一种微型元件及其结构，微型元件结构包括基板、至少一微型元件以及至少一固定结构。微型元件包括磊晶结构与外覆层。磊晶结构具有彼此相对的顶表面与底表面以及连接顶表面与底表面的周围表面。外覆层包括接触部与延伸部。接触部覆盖磊晶结构的周围表面与底表面。延伸部连接接触部且往远离周围表面的水平方向延伸。固定结构包括至少一连接部、至少一牺牲部以及至少一固定部。连接部配置于磊晶结构的顶表面与外覆层的延伸部上。牺牲部连接连接部与固定部。部分牺牲部接触延伸部而定义出预定断裂区。固定部连接牺牲部且延伸至基板上。

【技术实现步骤摘要】
微型元件及其结构
本专利技术涉及一种半导体结构，尤其涉及一种微型元件及其结构。
技术介绍
目前微型发光二极管的转移主要是通过静电力或磁力等方式，将暂时基板上的微型发光二极管转板至接收基板上。一般来说，微型发光二极管会通过固定结构来固持而使微型发光二极管较容易自暂时基板上拾取，并运输与转移至接收基板上放置，且通过固定结构来巩固微型发光二极管于转板时不会受到其他外在因素而影响品质。然而，由于固定结构与微型发光二极管周围表面的接触面的面积大小不易控制，因而使转移后的微型发光二极管周围表面仍残留有固定结构，进而影响转移后的微型发光二极管的出光。因此，如何在运输与转移微型发光二极管时避免固定结构残留在微型发光二极管的周围表面，已成为目前业界相当重视的课题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种微型元件结构，可使后续转移时的断点位于固定结构的牺牲部与外覆层的延伸部所定义出的预定断裂区内，以避免固定结构的牺牲部残留在转移后的微型元件的周围表面。本专利技术提供一种微型元件，具有较佳的出光效果。本专利技术的微型元件结构包括基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型元件结构，其特征在于，包括：/n基板；/n至少一微型元件，配置于所述基板上，所述微型元件包括磊晶结构与外覆层，所述磊晶结构具有彼此相对的顶表面与底表面以及连接所述顶表面与所述底表面的周围表面，而所述外覆层包括接触部与延伸部，所述接触部覆盖所述磊晶结构的所述周围表面与所述底表面，而所述延伸部连接所述接触部且往远离所述周围表面的水平方向延伸；以及/n至少一固定结构，配置于所述基板上，所述至少一固定结构包括至少一连接部、至少一牺牲部以及至少一固定部，所述至少一连接部配置于所述磊晶结构的所述顶表面与所述外覆层的所述延伸部上，所述至少一牺牲部连接所述至少一连接部与所述至少一固定部，且部分所述...

【技术特征摘要】
1.一种微型元件结构，其特征在于，包括：
基板；
至少一微型元件，配置于所述基板上，所述微型元件包括磊晶结构与外覆层，所述磊晶结构具有彼此相对的顶表面与底表面以及连接所述顶表面与所述底表面的周围表面，而所述外覆层包括接触部与延伸部，所述接触部覆盖所述磊晶结构的所述周围表面与所述底表面，而所述延伸部连接所述接触部且往远离所述周围表面的水平方向延伸；以及
至少一固定结构，配置于所述基板上，所述至少一固定结构包括至少一连接部、至少一牺牲部以及至少一固定部，所述至少一连接部配置于所述磊晶结构的所述顶表面与所述外覆层的所述延伸部上，所述至少一牺牲部连接所述至少一连接部与所述至少一固定部，且部分所述至少一牺牲部接触所述延伸部而定义出预定断裂区，而所述至少一固定部连接所述至少一牺牲部且延伸至所述基板上。


2.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，所述至少一固定结构的所述至少一牺牲部与所述外覆层的所述延伸部之间具有夹角，而所述夹角介于80度至120度之间。


3.根据权利要求2所述的微型元件结构，其特征在于，所述至少一固定结构的所述至少一牺牲部垂直于所述外覆层的所述延伸部。


4.根据权利要求2所述的微型元件结构，其特征在于，所述至少一固定结构的所述至少一牺牲部的延伸方向垂直于所述基板。


5.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，还包括：
至少一导光结构，配置于所述微型元件上，且位于所述至少一固定结构的所述至少一连接部与所述磊晶结构的所述顶表面之间，以及位于所述至少一固定结构的所述至少一连接部与所述外覆层的所述延伸部之间。


6.根据权利要求5所述的微型元件结构，其特征在于，所述外覆层于所述基板上的正投影面积与所述至少一导光结构于所述基板上的正投影面积的比值大于等于0.8且小于等于1。


7.根据权利要求5所述的微型元件结构，其特征在于，所述至少一固定结构的第一厚度大于所述至少一导光结构的第二厚度。


8.根据权利要求5所述的微型元件结构，其特征在于，所述磊晶结构包括第一型半导体层、发光层与第二型半导体层，所述发光层位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间，所述第一型半导体层具有所述顶表面，所述至少一导光结构的面积大于所述顶表面的面积，且所述顶表面的面积与所述至少一导光结构的面积的比值大于等于0.5且小于等于0.95。


9.根据权利要求8所述的微型元件结构，其特征在于，所述至少一导光结构与所述第一型半导体层的第一接触表面的粗糙度大于所述至少一导光结构与所述至少一固定结构的第二接触表面的粗糙度。


10.根据权利要求8所述的微型元件结构，其特征在于，所述至少一导光结构与所述第一型半导体层的第一接触表面的粗糙度大于所述至少一导光结构与所述外覆层的所述延伸部的第二接触表面的粗糙度。


11.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，所述外覆层与所述磊晶结构的所述周围表面之间具有最小水平距离，且所...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏义闵，梁胜杰，吴志凌，许国君，罗玉云，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71