微型发光元件、结构及其显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种微型发光元件、结构及其显示装置，微型发光元件包括磊晶结构层、第一型电极、第二型电极以及导光结构。磊晶结构层具有彼此相对的顶表面与底表面以及位于顶表面的多个第一凹槽。彼此分离的第一型电极及第二型电极配置于磊晶结构层上且位于底表面。导光结构配置于磊晶结构层上。导光结构覆盖部分顶表面及部分第一凹槽的内壁，而定义出对应部分第一凹槽的多个第二凹槽。

Micro light emitting element, structure and display device

【技术实现步骤摘要】
微型发光元件、结构及其显示装置
本专利技术涉及一种半导体元件，尤其涉及一种微型发光元件、微型发光元件结构及微型发光元件显示装置。
技术介绍
目前微型发光二极管的转移主要是通过静电力或磁力等方式，将载体基板上的微型发光二极管转板至接收基板上。一般来说，微型发光二极管会通过固定结构来固持而使微型发光二极管较容易自载体基板上拾取并运输与转移至接收基板上放置，且通过固定结构来巩固微型发光二极管于转板时不会受到其他外在因素而影响质量。此外，通常会有部分的固定结构会与微型发光二极管接触，且留在转移后的微型发光二极管上。由于此部分的固定结构大多为配置于微型发光二极管的出光面上，且因为固定结构的材料特性，所以此部分的固定结构会视为是一种导光结构。因此，如何在现有的架构下而提升微型发光元件的出光效率，已成为业界努力的目标之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种微型发光元件，其导光结构具有对应磊晶结构层的部分第一凹槽的第二凹槽，可提升出光效率。本专利技术提供一种微型发光元件结构，其固定结构的导光部具有对应微型发光元件的部分第一凹槽的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光元件，包括：/n磊晶结构层，具有彼此相对的顶表面与底表面以及位于所述顶表面的多个第一凹槽；/n第一型电极，配置于所述磊晶结构层上，且位于所述底表面；/n第二型电极，与所述第一型电极彼此分离，配置于所述磊晶结构层上，且位于所述底表面；以及/n导光结构，配置于所述磊晶结构层上，且覆盖部分所述顶表面及部分所述多个第一凹槽的内壁，而定义出对应部分所述多个第一凹槽的多个第二凹槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种微型发光元件，包括：
磊晶结构层，具有彼此相对的顶表面与底表面以及位于所述顶表面的多个第一凹槽；
第一型电极，配置于所述磊晶结构层上，且位于所述底表面；
第二型电极，与所述第一型电极彼此分离，配置于所述磊晶结构层上，且位于所述底表面；以及
导光结构，配置于所述磊晶结构层上，且覆盖部分所述顶表面及部分所述多个第一凹槽的内壁，而定义出对应部分所述多个第一凹槽的多个第二凹槽。


2.根据权利要求1所述的微型发光元件，其中所述磊晶结构层包括：
第一型半导体层，与所述第一型电极电性连接，且具有所述顶表面；
第二型半导体层，与所述第二型电极电性连接；以及
发光层，位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间，其中所述第一型半导体层的所述顶表面相对远离所述发光层。


3.根据权利要求2所述的微型发光元件，其中所述第一型半导体层的所述顶表面具有中央区与环绕所述中央区的周围区，而所述导光结构于所述周围区的覆盖率大于所述中央区的覆盖率。


4.根据权利要求2所述的微型发光元件，其中各所述第一凹槽的深度与所述第一型半导体层的厚度的比值大于等于0.05且小于等于0.3。


5.根据权利要求2所述的微型发光元件，其中所述导光结构具有彼此相对的第一表面与第二表面，所述第一表面接触所述第一型半导体层，且所述第一表面的均方根粗糙度大于所述第二表面的均方根粗糙度。


6.根据权利要求2所述的微型发光元件，其中所述第一型半导体层的所述顶表面具有第一部分与第二部分，所述导光结构接触所述第一部分，而所述第二部分的均方根粗糙度大于所述第一部分的均方根粗糙度。


7.根据权利要求1所述的微型发光元件，其中各所述第一凹槽的深度与所述微型发光元件的发光波长的比值介于0.5至3，而各所述第一凹槽的宽度与所述微型发光元件的发光波长的比值介于0.5至4，且任两相邻的所述多个第一凹槽之间的间距与所述微型发光元件的发光波长的比值介于1至5。


8.根据权利要求1所述的微型发光元件，其中各所述第一凹槽的第一深度大于对应的各所述第二凹槽的第二深度，且各所述第一凹槽的第一宽度大于对应的各所述第二凹槽的第二宽度。


9.根据权利要求1所述的微型发光元件，其中各所述第一凹槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：许广元，严千智，赖彦霖，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71