发光二极管芯片及其制备方法技术

本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。芯片包括透明基板、第一型半导体层、有源层、第二型半导体层、第一型电极、第二型电极、钝化保护层和缓冲结构；第一型半导体层、有源层、第二型半导体层依次层叠在透明基板上，第二型半导体层上设有延伸至第一型半导体层的凹槽；第一型电极设置在凹槽内的第一型半导体层上，第二型电极设置在第二型半导体层上；钝化保护层设置在凹槽内除第一型电极之外的区域上、以及第二型半导体层上除第二型电极之外的区域上；缓冲结构包括依次层叠在钝化保护层上的氧化硅层、铝层、铂层和氮化硅层，氮化硅层与氧化硅层贴合形成密封空间，铝层和铂层位于密封空间内。本公开可防止芯片受损。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片及其制备方法
本公开涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片及其制备方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种能发光的电子器件。通过采用不同的半导体材料，LED能够覆盖从紫外到红外的全色范围，已经广泛地应用于经济生活中的显示、装饰、通讯等领域。芯片是LED的核心组件。相关技术中，LED芯片包括衬底、第一型半导体层、有源层、第二型半导体层、第一型电极和第二型电极。第一型半导体层、有源层、第二型半导体层依次层叠在衬底上，第二型半导体层上设有延伸至第一型半导体层的凹槽。第一型电极设置在凹槽内的第一型半导体层上，第二型电极设置在第二型半导体层上。挑选芯片的时候，多个芯片的电极所在侧粘附在粘膜的同一面上。先由分选设备的顶针穿透粘膜，将选取的芯片从粘膜上顶开；再由分选设备的吸嘴将选取的芯片吸住，转移到应用的基板上。芯片在被顶针从粘膜上顶开的过程中容易受到损伤，特别是红光LED芯片，在顶针的作用之后容易产生裂纹。如果裂纹呈现在芯片外部，则直接导致芯片不合格；如果裂纹隐藏在芯片内部，则本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括透明基板(10)和设置在所述透明基板(10)的第一表面上的芯片本体，所述芯片本体包括第一型半导体层(21)、有源层(22)、第二型半导体层(23)、第一型电极(31)、第二型电极(32)、钝化保护层(40)和缓冲结构(50)；所述第一型半导体层(21)、所述有源层(22)、所述第二型半导体层(23)依次层叠在所述透明基板(10)上，所述第二型半导体层(23)上设有延伸至所述第一型半导体层(21)的凹槽(100)；所述第一型电极(31)设置在所述凹槽(100)内的第一型半导体层(21)上，所述第二型电极(32)设置在所述第二型半导体层(2...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括透明基板(10)和设置在所述透明基板(10)的第一表面上的芯片本体，所述芯片本体包括第一型半导体层(21)、有源层(22)、第二型半导体层(23)、第一型电极(31)、第二型电极(32)、钝化保护层(40)和缓冲结构(50)；所述第一型半导体层(21)、所述有源层(22)、所述第二型半导体层(23)依次层叠在所述透明基板(10)上，所述第二型半导体层(23)上设有延伸至所述第一型半导体层(21)的凹槽(100)；所述第一型电极(31)设置在所述凹槽(100)内的第一型半导体层(21)上，所述第二型电极(32)设置在所述第二型半导体层(23)上；所述钝化保护层(40)设置在所述凹槽(100)内除所述第一型电极(31)之外的区域上、以及所述第二型半导体层(23)上除所述第二型电极(32)之外的区域上；所述缓冲结构(50)包括氧化硅层(51)、铝层(52)、铂层(53)和氮化硅层(54)，所述氧化硅层(51)、所述铝层(52)、所述铂层(53)和所述氮化硅层(54)依次层叠在钝化保护层(40)上，所述氮化硅层(54)与所述氧化硅层(51)贴合形成密封空间，所述铝层(52)和所述铂层(53)位于所述密封空间内。


2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述铝层(52)的厚度大于所述铂层(53)的厚度。


3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述铝层(52)的厚度为8000埃～12000埃，所述铂层(53)的厚度为2000埃～4000埃。


4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述氧化硅层(51)的厚度等于所述氮化硅层(54)的厚度。


5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述氧化硅层(51)的厚度为4000埃～6000埃，所述氮化硅层(54)的厚度为4000埃～6000埃...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，吴志浩，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33