一种整面反射镜的垂直结构LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种整面反射镜的垂直结构LED芯片，结构包括：n电极、外延层、绝缘层、反射金属层、保护层金属、键合层金属和支撑导电基板。具体的，键合层金属顶部设有第一凸起，保护层金属包括第一凹槽和第二凸起，反射金属层包括第二凹槽和第三凸起，绝缘层安装于所述第三凸起外侧，外延层安装于绝缘层和反射金属层上；通过在反射金属层第三凸起的外侧设置有绝缘层，能够有效阻止金属离子迁移到LED芯片侧面，同时，由于采取了绝缘层去阻挡反射金属层的金属离子迁移，所以就不需要将反射金属层内缩，这样反射金属层的反射面积就会比现有的垂直结构LED芯片的反射面积要大，从而有效提高了LED芯片亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种整面反射镜的垂直结构LED芯片
本技术涉及LED
，特别地是一种整面反射镜的垂直结构LED芯片。
技术介绍
目前发光二极管(LightEmittingDiode，LED)已广泛用于室内外照明，室外照明、车灯以及手持照明等应用领域。发光二极管(LightEmittingDiode，LED)是靠PN结把电能转换成光能的一种器件，具有可控性好，启动快，寿命长，发光效率高，安全，节能环保等优点，被称为绿色光源，第四代光源。不仅带动照明产业的深刻变革，同时还引领着显示屏领域的创新。随着LED产业的发展，大功率LED越来越受到人们的青睐。而大功率LED中，垂直结构LED芯片以其可通大电流和出光方向好而受各到市场青睐。但是现有的垂直结构LED芯片存在以下缺点：(1)垂直结构LED芯片的反射镜主要使用Ag，而Ag由于本身性质活泼，容易迁移到LED芯片侧面，侧面有PN结，所以金属离子迁移到这里，就会形成短路漏电，造成芯片失效；(2)现有的垂直结构LED芯片会使用反射率低的金属覆盖反射镜，从而实现保护Ag，但Ag边缘低反射率的保护金属吸光严重，而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种整面反射镜的垂直结构LED芯片，其特征在于，一种整面发射的垂直结构LED芯片，包括n电极(7)、外延层(6)、绝缘层(5)、反射金属层(4)、保护层金属(3)、键合层金属(2)和支撑导电基板(1)；其中，所述键合层金属(2)安装在支撑导电基板(1)上，所述键合层金属(2)顶部设有第一凸起(21)，所述保护层金属(3)包括第一凹槽(31)和第二凸起(32)，所述第一凹槽(31)与第一凸起(21)相匹配，所述反射金属层(4)包括第二凹槽(41)和第三凸起(42)，所述第二凹槽(41)与第二凸起(32)相匹配，所述绝缘层(5)安装于所述第三凸起(42)外侧，所述外延层(6)安装于所述绝缘层(...

【技术特征摘要】
1.一种整面反射镜的垂直结构LED芯片，其特征在于，一种整面发射的垂直结构LED芯片，包括n电极(7)、外延层(6)、绝缘层(5)、反射金属层(4)、保护层金属(3)、键合层金属(2)和支撑导电基板(1)；其中，所述键合层金属(2)安装在支撑导电基板(1)上，所述键合层金属(2)顶部设有第一凸起(21)，所述保护层金属(3)包括第一凹槽(31)和第二凸起(32)，所述第一凹槽(31)与第一凸起(21)相匹配，所述反射金属层(4)包括第二凹槽(41)和第三凸起(42)，所述第二凹槽(41)与第二凸起(32)相匹配，所述绝缘层(5)安装于所述第三凸起(42)外侧，所述外延层(6)安装于所述绝缘层(5)和所述反射金属层(4)上，所述n电极(7)安装于外延层(6)上。


2.根据权利要求1所述的一种整面反射镜的垂直结构LED芯片，其特征在于：所述外延层(6)为硅基或蓝宝石或SiC衬底上生长的发光GaN层。


3.根据权利要求1所述的一种整面反射镜的垂直结构LED芯片，其特征在于：所述绝缘层(5)为SiO2，所述绝缘层(5)厚度100nm-10000nm。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：河源市众拓光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44