一种化学气相沉积设备晶圆举起箍组件制造技术

本申请涉及一种化学气相沉积设备晶圆举起箍组件，其包括升降环和带动升降环位移的升降件，升降环远离升降件的一侧推动有装载环，装载环远离升降环的一侧可拆卸连接有多个提升销；多个提升销远离装载环的一端贯穿有位置固定的加热器，加热器限定提升销的路径；提升销的端部贯穿装载环并与装载环螺纹连接，装载环与升降环之间设置有阻止提升销端部与装载环接触的让位部。本申请具有延缓螺丝松动时间的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种化学气相沉积设备晶圆举起箍组件
本申请涉及半导体设备的领域，尤其是涉及一种化学气相沉积设备晶圆举起箍组件。
技术介绍
化学气相沉积（CVD）技术是用来制备高纯、高性能固体薄膜的主要技术。在典型的CVD工艺过程中，把一种或多种蒸汽源原子或分子引入腔室中，在外部能量作用下发生化学反应并在衬底表面形成需要的薄膜。由于CVD技术具有成膜范围广、重现性好等优点，被广泛用于多种不同形态的成膜。关于半导体等离子增强化学气相沉积设备加热器盖板提升销升降组件的改造。一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销升降组件，参考图1，提升销升降组件和提升销的螺纹底部接触，升降过程中导致螺纹松动。螺纹松动会导致提升销运行时偏移从而导致晶圆片的位移，严重导致晶圆片破损。针对上述中的相关技术，专利技术人认为提升销的底部是螺纹结构，螺纹固定于提升销装载圆环，会有一部分螺纹突出于圆环底部，由于升降组件和突出的螺纹接触，加速提升销的螺纹松动，当提升销松动，会造成晶片在反应腔内位置改变，严重会导致晶圆片破损。
技术实现思路
为了延缓螺丝松动时间，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学气相沉积设备晶圆举起箍组件，包括升降环（1）和带动所述升降环（1）位移的升降件，其特征在于：所述升降环（1）远离所述升降件的一侧推动有装载环（5），所述装载环（5）远离所述升降环（1）的一侧可拆卸连接有多个提升销（6）；多个所述提升销（6）远离所述装载环（5）的一端贯穿有位置固定的加热器，所述加热器限定所述提升销（6）的路径；所述提升销（6）的端部贯穿所述装载环（5）并与所述装载环（5）螺纹连接，所述装载环（5）与所述升降环（1）之间设置有阻止所述提升销（6）端部与所述装载环（5）接触的让位部（7）。/n

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积设备晶圆举起箍组件，包括升降环（1）和带动所述升降环（1）位移的升降件，其特征在于：所述升降环（1）远离所述升降件的一侧推动有装载环（5），所述装载环（5）远离所述升降环（1）的一侧可拆卸连接有多个提升销（6）；多个所述提升销（6）远离所述装载环（5）的一端贯穿有位置固定的加热器，所述加热器限定所述提升销（6）的路径；所述提升销（6）的端部贯穿所述装载环（5）并与所述装载环（5）螺纹连接，所述装载环（5）与所述升降环（1）之间设置有阻止所述提升销（6）端部与所述装载环（5）接触的让位部（7）。


2.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积设备晶圆举起箍组件，其特征在于：所述让位部（7）为开设在所述升降环（1）上的多个凹槽，所述凹槽的位置对应所述提升销（6）的端部，且用于容纳所述提升销（6）凸出于所述装载环（5）表面的部位。


3.根据权利要求2所述的一种化学气相沉积设备晶圆举起箍组件，其特征在于：所述凹槽向一侧延伸至贯穿所述升降环（1）的内缘形成槽缺口。


4.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积设备晶圆举起箍组件，其特征在于：所述让位部（7）包括固定连接在所述装载环（5）上的支撑件，所述支撑件开设有对准所述提升销（6）端部的通孔，所述通孔容纳所述提升...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶新浩，黄中山，林保璋，王虎斌，
申请(专利权)人：盛吉盛宁波半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33