使用边缘冲洗的衬底基座制造技术

一种工件基座主体可包含：正面，其配置成支撑工件；背面，其与所述正面相对；工件接触区域，其在所述正面的内部部分上至少部分地形成支撑边界；以及多个轴向通道，其安置在所述基座主体内。所述工件接触区域能够安置成在径向上从以处理配置定位在所述正面上的工件的外边缘朝内。所述多个轴向通道中的每一个能够连接到延伸到所述正面的外部部分中的对应开口。所述开口中的每一个能够安置成在径向上从所述基座主体的所述工件接触区域朝外。

【技术实现步骤摘要】
使用边缘冲洗的衬底基座相关申请的交叉引用本申请要求2019年5月22日提交的标题为“使用边缘冲洗的衬底基座(SUBSTRATESUSCEPTORUSINGEDGEPURGING)”的第62/851414号美国临时申请到优先权，其特此以全文引用的方式并入本文中。根据37CFR1.57，其中外国或本国优先权要求在与本申请一起提交的申请数据表中被识别出的任何和所有申请特此以引用的方式并入本文中。
本公开大体上涉及半导体处理，且更具体来说，涉及用于支撑处理室中的半导体衬底的基座。
技术介绍
通常在受控工艺条件下进行半导体制造工艺，其中衬底支撑在基座上的反应室内。对于多个工艺，在反应室内加热半导体衬底(例如，晶片)。在处理期间，可能出现与衬底和基座之间的物理相互作用有关的多个质量控制问题。
技术实现思路
在一些实施例中，提供一种工件基座。所述工件基座主体包括配置成支撑工件的正面和与所述正面相对的背面。所述工件基座还包含工件接触区域，所述工件接触区域至少部分地形成围绕所述正面的内部部分的支撑边界。所述工件接触区域配置成在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工件基座主体，其包括：/n正面，其配置成支撑工件；/n背面，其与所述正面相对；/n工件接触区域，其至少部分地形成围绕所述正面的内部部分的支撑边界，所述工件接触区域配置成在径向上从以处理配置定位在所述正面上的工件的外边缘朝内安置；/n一个或多个轴向通道，其安置在所述基座主体内，所述轴向通道连接到延伸到所述正面的外部部分中的一个或多个开口，所述开口中的每一个安置成在径向上从所述基座主体的所述工件接触区域朝外；/n其中所述工件接触区域所处的高度高于所述面的所述外部部分，以形成在径向上从所述工件接触区域朝外且在轴向上位于所述基座主体的所述面和所述工件之间的间隙。/n

【技术特征摘要】
20190522 US 62/851,4141.一种工件基座主体，其包括：
正面，其配置成支撑工件；
背面，其与所述正面相对；
工件接触区域，其至少部分地形成围绕所述正面的内部部分的支撑边界，所述工件接触区域配置成在径向上从以处理配置定位在所述正面上的工件的外边缘朝内安置；
一个或多个轴向通道，其安置在所述基座主体内，所述轴向通道连接到延伸到所述正面的外部部分中的一个或多个开口，所述开口中的每一个安置成在径向上从所述基座主体的所述工件接触区域朝外；
其中所述工件接触区域所处的高度高于所述面的所述外部部分，以形成在径向上从所述工件接触区域朝外且在轴向上位于所述基座主体的所述面和所述工件之间的间隙。


2.根据权利要求1所述的工件基座主体，其中所述工件接触区域包括从所述正面延伸的周向凸条。


3.根据权利要求1所述的工件基座主体，其进一步包括所述工件。


4.根据权利要求1所述的工件基座主体，其进一步包括定位成在径向上从所述开口朝外的工件保持部分，所述工件保持部分配置成阻止所述工件径向移动。


5.根据权利要求4所述的工件基座主体，其中所述工件保持部分安置在高于所述工件接触区域的高度处。


6.根据权利要求1所述的工件基座主体，其中所述轴向通道延伸穿过所述工件基座主体和所述背面。


7.根据权利要求1所述的工件基座主体，其进一步包括多个径向通道，所述径向通道定位在所述正面和所述背面之间，并且从所述多个轴向通道中的至少一个延伸且与所述多个轴向通道中的至少一个流体连通。


8.根据权利要求7所述的工件基座主体，其进一步包括配置成支撑所述背面的底座，以及延伸穿过所述底座且配置成与所述多个径向通道中的至少一个流体连通的至少一个纵向冲洗通道。


9.根据权利要求8所述的工件基座主体，其进一步包括延伸到所述正面的所述内部部分中的一个或多个孔口，所述多个孔口配置成与真空流体连通。


10.根据权利要求9所述的工件基座主体，其进一步包括至少一个纵向真空通道，所述纵向真空通道延伸穿过所述底座且配置成与所述多个所述孔口中的至少一个流体连通。


11.根据权利要求10所述的工件基座主体，其进一步包括延伸到所述正面中的多个径向凹槽，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·辛格，T·杜恩，C·L·怀特，H·特霍斯特，E·雪罗，B·佐普，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL