【技术实现步骤摘要】
PECVD设备的加热系统、加热控制方法及PECVD设备
本专利技术涉及光伏电池片的生产设备，尤其涉及一种PECVD设备的加热系统、加热控制方法及PECVD设备。
技术介绍
硅片经过制绒、扩散、刻蚀、退火、表面镀膜、背钝化、激光消融、丝印烧结等工序后成为电池片，不同电池工艺流程有所不同。表面镀膜是光伏电池生产过程中的核心工序之一，而PECVD是表面镀膜的设备，PECVD设备包括炉体柜、净化台和源柜三大部分。反应室位于炉体柜内，是进行镀膜反应的场所，通常在450℃-500℃进行。为了减少工艺时间，会在石墨舟进入反应室内之前，先进行预热，使其温度提升到200℃-250℃左右，进而减少升温时间，从而实现缩短工艺时间。另一方便石墨舟进行镀膜工艺出反应室后，需要进行冷却，现在一般是通过小风机吹风冷却，效果一般。现有的预热通常采用红外加热灯管，红外灯管相对热功率低，能量消耗比较大，比较容易损坏寿命较短，另外红外加热灯管放置在玻璃管中，增加了预热箱体积。对于高温石墨舟自然冷却时间过长，增加风机以后可以缩短一些冷却时间，但是效果还是不...
【技术保护点】
1.一种PECVD设备的加热系统，其特征在于，包括炉体(7)和半导体加热单元(1)，所述炉体(7)包括炉壳(71)、炉体保温层(72)、炉丝(73)、反应管(74)和媒介管道(9)，所述炉体保温层(72)套于炉壳(71)内，所述反应管(74)套于炉体保温层(72)内，所述炉丝(73)缠绕在反应管(74)的外周，所述半导体加热单元(1)的热端设有热媒输出管(11)和热媒输入管(12)且冷端设有冷媒输出管(13)和冷媒输入管(14)，所述媒介管道(9)设于炉丝(73)与反应管(74)之间或者设于反应管(74)内，所述热媒输出管(11)和热媒输入管(12)分别与媒介管道(9)的入...
【技术特征摘要】
1.一种PECVD设备的加热系统，其特征在于，包括炉体(7)和半导体加热单元(1)，所述炉体(7)包括炉壳(71)、炉体保温层(72)、炉丝(73)、反应管(74)和媒介管道(9)，所述炉体保温层(72)套于炉壳(71)内，所述反应管(74)套于炉体保温层(72)内，所述炉丝(73)缠绕在反应管(74)的外周，所述半导体加热单元(1)的热端设有热媒输出管(11)和热媒输入管(12)且冷端设有冷媒输出管(13)和冷媒输入管(14)，所述媒介管道(9)设于炉丝(73)与反应管(74)之间或者设于反应管(74)内，所述热媒输出管(11)和热媒输入管(12)分别与媒介管道(9)的入口和出口连接，所述冷媒输出管(13)和冷媒输入管(14)分别与媒介管道(9)的入口和出口连接。
2.根据权利要求1所述的PECVD设备的加热系统，其特征在于，所述热媒输出管(11)与媒介管道(9)的入口之间设有补热剂支管(44)，所述冷媒输出管(13)与媒介管道(9)的入口之间设有补冷剂支管(45)。
3.根据权利要求1所述的PECVD设备的加热系统，其特征在于，所述热媒输出管(11)与媒介管道(9)的入口之间设有第一热媒开关(91)，所述冷媒输出管(13)与媒介管道(9)的入口之间设有第一冷媒开关(92)；所述热媒输入管(12)与媒介管道(9)的出口之间设有第二热媒开关(93)，所述冷媒输入管(14)与媒介管道(9)的出口之间设有第二冷媒开关(94)。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的PECVD设备的加热系统，其特征在于，所述炉壳(71)的外周设有第一冷媒管道(41)，所述第一冷媒管道(41)的入口和出口分别与冷媒输出管(13)和冷媒输入管(14)连接。
5.根据权利要求4所述的PECVD设备的加热系统，其特征在于，所述第一冷媒管道(41)设置多根，各第一冷媒管道(41)沿周向呈环形布置，且各第一冷媒管道(41)相互平行，各第一冷媒管道(41)的入口连接一个炉体冷媒总入口(411)，各第一冷媒管道(41)的出口连接一个炉体冷媒总出口(412)，所述炉体冷媒总入口(411)低于炉体冷媒总出口(412)。
6.根据权利要求1至3任意一项所述的PECVD设备的加热系统，其特征在于，所述炉体(7)的两端设有密封法兰(8)，所述密封法兰(8)内设有环形冷媒管道(81)，所述环形冷媒管道(81)的入口与冷媒输出管(13)连接，且出口与冷媒输入管(14)连接。
7.一种基于权利要求1至6任意一项所述的PECVD设备的加热系统的加热控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、一次升温：将冷媒输出管(13)与媒介管道(9)入口切断，将冷媒输入管(14)与媒介管道(9...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱辉，刘帅，肖洁，吴得轶，张春成，赵志然，
申请(专利权)人：湖南红太阳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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