支撑结构、支架和镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一支撑结构、支架和镀膜设备，所述支撑结构应用于一镀膜设备以支撑至少一待镀膜工件，其中该镀膜设备包括一反应腔体和具有一反应腔，所述支撑结构被容纳于该反应腔并且被支撑于该反应腔体，其中所述支撑结构包括一板主体和至少一个电极件，其中所述电极件被设置于所述板主体。

【技术实现步骤摘要】
支撑结构、支架和镀膜设备
本技术涉及到表面处理领域，尤其涉及到支撑结构、支架和镀膜设备。
技术介绍
膜层能够对于材料的表面进行防护，以赋予材料良好的物理、化学性能。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)镀膜技术具有沉积温度低、沉积速率较高等诸多特点，是制备膜层常用技术手段。等离子体增强化学气相沉积镀膜技术利用等离子体中的高能电子激活气体分子，促进自由基化和离子化，产生化学活性较强的高能粒子、原子或者分子态离子和电子等大量活性粒子，活性粒子化学反应生成反应产物。由于高能电子为源物质粒子提供了能量，因此不需要提供较多的外界热能就可以发生化学气相沉积，从而降低反应温度，这使得本来难以发生或者是速度很慢的化学反应成为可能。在镀膜过程中，需要将待镀膜工件放置在反应腔体内，然后通入反应气体。反应气体在等离子体的作用下在该待镀膜工件的表面进行沉积形成膜层。在这个过程中，该反应腔体需要提供电场环境以生成等离子体。通常的镀膜设备中，电极被布置在该反应腔体的外壳位置，每对该电极的一块电极板和电源的一极相连接，另一块该电极板接地或者是和该电源的另一极相连接。接通该电源时，一对该电极之间产生电场并且将位于其中的气体原料激活以形成等离子体。该待镀膜工件被保持在该反应腔体并且能够和反应气体进行接触，以在等离子体气氛中被镀膜。平行电极板间放电等离子体的准静态呈非线性分布，在通过加在电极的离子鞘存在很大的电压降，而等离子体的电压降很小，等离子体中的离子通过鞘加速轰击阴极表面，从阴极表面释放二次电子，二次电子被加速进入等离子体中，这些高能电子与气体分子碰撞并使之离化。同时，中性基团之间的离子和中性集团发生碰撞，并且发生一系列复杂的化学反应，这些化学过程将决定等离子体的化学成分(程宇航，RF-PECVD制备类金刚石碳膜的沉积机理，真空电子技术,1997,4:17–22)。因此，这些电极的布置位置以及电极和该待镀膜工件的相对位置将影响到最终的镀膜效果。通常，为了对于多个该待镀膜工件进行批量镀膜，多对电极被布置在该反应腔室中并且多对该极之间或者每对电极和该待镀膜工件之间需要保持一定的距离。无疑，这些电极占据了该反应腔体的较多的容纳空间。参考专利文件CN102534568B所示，揭露了一较为典型的等离子体增强化学气相沉积设备，其包括：腔室本体，所述腔室本体内限定有腔室，且所述腔室本体的顶壁上设有用于将工艺气体和射频或中频通入所述腔室内的开口；上电极，所述上电极可升降地设在所述腔室的上部，所述上电极用于将射频或中频通过所述开口引入所述腔室内；承载部件，所述承载部件设在所述腔室的下部；和载板，所述载板水平放置在所述承载部件上。通过在腔室内设置可升降的上电极且将载板放置在承载部件上，使得载板上的晶片在工艺过程中稳定地被镀膜，从而提高了工艺稳定性。通过上述的方式在待镀膜工件表面进行膜层制备将对于镀膜设备本身提出较高的要求，比如说镀膜设备内部需要提供升降设施以供电极升降，镀膜设备还需要被设计为较长以供单次容纳较多的待镀膜工件。显然，这些要求都不利于待镀膜工件本身的大批量和较低成本的工业化生产。
技术实现思路
本技术的一目的在于提供一支撑结构、支架和镀膜设备，其中所述支撑结构的至少部分可以当作电极使用，所述支撑结构的至少部分可以对于待镀膜工件起到支撑作用。本技术的另一目的在于提供一支撑结构、支架和镀膜设备，其中所述支撑结构包括一板主体和至少一个电极件，其中所述电极件被布置在所述板主体，所述电极件可以当作电极使用，所述板主体可以起到支撑作用。本技术的另一目的在于提供一支撑结构、支架和镀膜设备，其中所述电极件包括多个交错的电极构件，交错的所述电极构件形成气口，以有利于所述支撑结构相反两侧气体的流动和扩散。本技术的另一目的在于提供一支撑结构、支架和镀膜设备，其中所述支撑结构的至少部分是一网状结构，以有利于减轻整个所述支架的重量。本技术的另一目的在于提供一支撑结构、支架和镀膜设备，其中所述支撑件能够支撑所述待镀膜工件于所述板主体的一较低位置，以分隔相邻所述待镀膜工件，从而有利于减少所述待镀膜工件的相互干扰。根据本技术的一方面，本技术提供了一支撑结构，用于一镀膜设备以支撑至少一待镀膜工件，其中该镀膜设备包括一反应腔体和具有一反应腔，其中所述支撑结构被容纳于该反应腔并且被支撑于该反应腔体，其中所述支撑结构包括一板主体和至少一电极件，其中所述电极件被布置在所述板主体，所述电极件被可导通地连接于该镀膜设备的一放电装置以作为电极放电。根据本技术的至少一实施例，所述电极件包括多个电极构件，所述电极构件被分别布置于所述板主体并且多个所述电极构件交错形成多个通气口。根据本技术的至少一实施例，至少一所述通气口形成所述板主体。根据本技术的至少一实施例，所述板主体具有至少一容纳空间，其中所述电极件位于所述容纳空间，该待镀膜工件被支撑于所述支撑件。根据本技术的至少一实施例，所述通气口的大小范围为0.5mm～3mm。根据本技术的另一方面，本技术提供了一支架，应用于一镀膜设备以支撑至少一待镀膜工件，其中该镀膜设备包括一反应腔体和具有一反应腔，所述支架包括：多个支撑结构，其中所述支撑结构包括一板主体和至少一电极件，其中所述电极件被布置在所述板主体，所述板主体用于支撑该待镀膜工件，所述电极件被可导通地连接于该镀膜设备的一放电装置以作为电极放电。根据本技术的至少一实施例，至少一所述通气口形成所述板主体。根据本技术的至少一实施例，所述板主体具有至少一容纳空间，其中所述电极件位于所述容纳空间，该待镀膜工件被支撑于所述电极件。根据本技术的至少一实施例，所述通气口的大小范围为0.5mm～3mm。根据本技术的至少一实施例，所述支架进一步包括至少一连接件，其中所述连接件支撑所述支撑结构于该镀膜设备的该反应腔，并且所述支撑结构被间隔地连接于所述连接件。根据本技术的至少一实施例，至少一个所述连接件被可导通地连接于一个所述支撑结构，所述支撑结构通过所述连接件被可导通地连接于位于该反应腔外的该镀膜设备的该放电装置。根据本技术的至少一实施例，每一所述支撑结构分别被可导通地连接于至少一个所述连接件，所述支撑结构通过所述连接件被可导通地连接于位于该反应腔外的该镀膜设备的一脉冲电源，并且所述支撑结构作为该脉冲电源的阴极。根据本技术的至少一实施例，至少一所述支撑结构通过一个所述连接件被可导通地连接于该镀膜设备的一脉冲电源以作为阴极，至少一所述支撑结构通过另一个所述连接件被可导通地连接于该脉冲电源以作为阳极。根据本技术的至少一实施例，作为阴极的所述支撑结构和作为阳极的所述支撑结构被交替布置。根据本技术的至少一实施例，所述支架进一步包括至少一绝缘件，其中所述绝缘件被设置于所述连接件的底端，以支撑所述连接件于所述反应腔体。根据本技术的另一方面，本实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一支撑结构，用于一镀膜设备以支撑至少一待镀膜工件，其中该镀膜设备包括一反应腔体和具有一反应腔，其特征在于，所述支撑结构被容纳于该反应腔并且被支撑于该反应腔体，其中所述支撑结构包括一板主体和至少一电极件，其中所述电极件被布置在所述板主体，所述电极件被可导通地连接于该镀膜设备的一放电装置以作为电极放电。/n

【技术特征摘要】
1.一支撑结构，用于一镀膜设备以支撑至少一待镀膜工件，其中该镀膜设备包括一反应腔体和具有一反应腔，其特征在于，所述支撑结构被容纳于该反应腔并且被支撑于该反应腔体，其中所述支撑结构包括一板主体和至少一电极件，其中所述电极件被布置在所述板主体，所述电极件被可导通地连接于该镀膜设备的一放电装置以作为电极放电。


2.根据权利要求1所述的支撑结构，其中所述电极件包括多个电极构件，所述电极构件被分别布置于所述板主体并且多个所述电极构件交错形成多个通气口。


3.根据权利要求2所述的支撑结构，其中至少一所述通气口形成所述板主体。


4.根据权利要求1或2所述的支撑结构，其中所述板主体具有至少一容纳空间，其中所述电极件位于所述容纳空间，该待镀膜工件被支撑于所述支撑结构。


5.根据权利要求2所述的支撑结构，其中所述通气口的大小范围为0.5mm～3mm。


6.一支架，应用于一镀膜设备以支撑至少一待镀膜工件，其中该镀膜设备包括一反应腔体和具有一反应腔，其特征在于，所述支架包括：
多个支撑结构，其中所述支撑结构包括一板主体和至少一电极件，其中所述电极件被布置在所述板主体，所述电极件被可导通地连接于该镀膜设备的一放电装置以作为电极放电。


7.根据权利要求6所述的支架，其中至少一通气口形成所述板主体。


8.根据权利要求6所述的支架，其中所述板主体具有至少一容纳空间，其中所述电极件位于所述容纳空间，该待镀膜工件被支撑于所述电极件。


9.根据权利要求7所述的支架，其中所述通气口的大小范围为0.5mm～3mm。


10.根据权利要求6至9任一所述的支架，进一步包括至少一连接件，其中所述连接件支撑所述支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：宗坚，
申请(专利权)人：江苏菲沃泰纳米科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32