一种石墨盘制造技术

本实用新型专利技术属于半导体设备领域，尤其涉及一种石墨盘，其用于放置晶片，包括复数个放置晶片的凹槽，其特征在于：所述石墨盘包括内圈盘和外圈盘，所述内圈盘和外圈盘的下端中心分别连接内圈转轴和外圈转轴。本实用新型专利技术通过调节内圈盘和外圈盘的旋转速率，改善内、外圈因气流差异而导致的效率差异和良率差异。

【技术实现步骤摘要】
一种石墨盘
本专利技术属于半导体设备领域，尤其涉及一种石墨盘。
技术介绍
LED外延晶圆（或外延片）一般是通过金属有机化合物气相沉积（Metal-organicChemicalVaporDeposition，简称MOCVD）获得，其制程一般为：将外延晶圆衬底放入石墨盘的凹槽上，连同石墨盘一起被传送至MOCVD反应室内，石墨盘放置于加热装置上，以对石墨盘进行加热，石墨盘受热升温，能够以热辐射和热传导方式对衬底进行加热，反应气体自喷淋头的小孔进入石墨盘上方的反应区域，衬底由于加热装置的热传导加热而具有一定的温度，该温度使得反应气体之间进行化学反应，从而在衬底表面沉积外延材料层。然而，在外延生长时，内圈均匀性较外圈差的情况一直存在。针对此问题，改善生长气流均匀性是其中的一种方式。而石墨盘的转速与气流均匀性有关，具体为相对于外圈石墨盘，内圈石墨盘的气流均匀性较差。提高石墨盘的转速可以在一定程度上提高气流均匀性。
技术实现思路
本技术通过将石墨盘设置为可以分解并且转速不同的内圈盘和外圈盘，提高内圈盘的转速，提高其气流均匀性。具体技术方案如下：一种石墨盘，用于放置晶片，包括复数个放置晶片的凹槽，其特征在于：所述石墨盘包括内圈盘和外圈盘，所述内圈盘和外圈盘的下端中心分别连接内圈转轴和外圈转轴。优选的，所述外圈盘的中间部分具有放置内圈盘的凹陷区。优选的，所述内圈盘和外圈盘通过卡槽或者螺栓固定连接。优选的，所述内圈转轴和外圈转轴的旋转速率不同。优选的，所述晶片凹槽的尺寸与所承载的晶片尺寸相匹配。优选的，所述内圈盘和外圈盘表面均具有碳化硅保护层。优选的，所述凹槽的底部为平整状或者凹陷状或者突起状。优选的，所述内圈盘下端中心具有第一孔洞，所述内圈转轴插入第一孔洞内；所述外圈盘下端中心具有第二孔洞，所述外圈转轴插入第二孔洞内。优选的，所述外圈转轴包裹内圈转轴，使内圈转轴在外圈转轴内旋转。优选的，所述内圈转轴下端连接第一磁流体，所述外圈转轴下端连接第二磁流体，所述第一磁流体和第二磁流体分别驱动内圈转轴和外圈转轴旋转。本技术通过将石墨盘设置为可分解的内圈盘和外圈盘，并且通过调节内圈盘和外圈盘的旋转速率，改善内、外圈因气流差异而导致的效率差异和良率差异。附图说明图1为本技术之石墨盘剖视结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细说明。需说明的是，本技术的附图均采用非常简化的非精准比例，仅用以方便、明晰的辅助说明本技术。实施例1本技术提供的一种石墨盘，用于放置晶片S，包括复数个放置晶片S的凹槽11，石墨盘包括内圈盘10和外圈盘20，内圈盘10和外圈盘20的下端中心分别连接内圈转轴30和外圈转轴40。晶片S凹槽11的尺寸与所承载的晶片S尺寸相匹配，例如凹槽11可以为圆形或者多变形，可以为2寸、4寸、6寸或者8寸。凹槽11的底部可以为平整状或、凹陷状或者突起状。内圈盘10和外圈盘20表面均具有碳化硅保护层，碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，能够保证石墨盘在高温时不氧化，使石墨盘的使用寿命得到进一步提高。具体的，外圈盘20的中间部分具有放置内圈盘10的凹陷区12，外圈盘20呈槽状，内圈盘10放置于凹陷区12内，且内圈盘10和外圈盘20通过卡槽或者螺栓固定连接，内圈盘10和外圈盘20非整体结构，为分离结构，可以独立地进行旋转。本技术的石墨盘旋转时，内圈盘10和外圈盘20的旋转速率不同，具体地，内圈旋转速率高于外圈，使得MOCVD机台内形成化合物膜的气流分布更均匀。为了实现内圈盘10和外圈盘20的旋转速率不同，分别与内圈盘10和外圈盘20连接的内圈转轴30和外圈转轴40采用不同的速率旋转，从而带动内圈盘10和外圈盘20采用不同的速率旋转。具体地，内圈盘10下端中心具有第一孔洞13，内圈转轴30插入第一孔洞13内，并带动内圈盘10旋转。外圈盘20下端中心具有第二孔洞21，外圈转轴40插入第二孔洞21内，并带动外圈盘20旋转。外圈转轴40包裹在内圈转轴30的外周，内圈转轴30穿过外圈转轴40与内圈盘10连接，内圈转轴30在外圈转轴40内旋转。本技术采用磁流体驱动内圈转轴30和外圈转轴40的旋转。具体地，内圈转轴30的下端超过外圈转轴40的下端，内圈转轴30的下端连接第一磁流体50，外圈转轴40下端连接第二磁流体60，第二磁流体60位于第一磁流体50之上，第一磁流体50和第二磁流体60分别驱动内圈转轴30和外圈转轴40旋转。本技术通过将石墨盘设置为可分解的内圈盘10和外圈盘20，并且通过调节内圈盘10和外圈盘20的旋转速率，改善内、外圈因气流差异而导致的效率差异和良率差异。应当理解的是，上述具体实施方案为本技术的优选实施例，本技术的范围不限于该实施例，凡依本技术所做的任何变更，皆属本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石墨盘，用于放置晶片，包括复数个放置晶片的凹槽，其特征在于：所述石墨盘包括内圈盘和外圈盘，所述内圈盘和外圈盘的下端中心分别连接内圈转轴和外圈转轴。/n

【技术特征摘要】
1.一种石墨盘，用于放置晶片，包括复数个放置晶片的凹槽，其特征在于：所述石墨盘包括内圈盘和外圈盘，所述内圈盘和外圈盘的下端中心分别连接内圈转轴和外圈转轴。


2.根据权利要求1所述的一种石墨盘，其特征在于：所述外圈盘的中间部分具有放置内圈盘的凹陷区。


3.根据权利要求1所述的一种石墨盘，其特征在于：所述内圈盘和外圈盘通过卡槽或者螺栓连接。


4.根据权利要求1所述的一种石墨盘，其特征在于：所述内圈转轴和外圈转轴的旋转速率不同。


5.根据权利要求1所述的一种石墨盘，其特征在于：所述凹槽的尺寸与所承载的晶片尺寸相匹配。


6.根据权利要求1所述的一种石墨盘，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：周宏敏，王瑜，唐超，李政鸿，林兓兓，张家豪，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34