一种电极片、载片器以及镀膜系统技术方案

本实用新型专利技术公开一种电极片、载片器以及镀膜系统，涉及太阳能电池技术领域，以缓解表面成膜过程中绕镀所产生的硅片边缘颜色异常问题，从而提高硅片镀膜良率。所述电极片包括：至少一个载片单元。每个载片单元的至少一个表面具有载片区域和外围区域，外围区域位于载片区域的周向。每个载片单元的至少一个表面开设有用于抑制绕镀现象的至少一个槽体。至少一个槽体位于外围区域。所述载片器包括上述技术方案所提的电极片。本实用新型专利技术提供的电极片用于镀膜系统中。

【技术实现步骤摘要】
一种电极片、载片器以及镀膜系统
本技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种电极片、载片器以及镀膜系统。
技术介绍
目前，太阳能电池片的制作流程主要包括表面制绒、扩散制结、表面成膜、丝网印刷和高温烧结等步骤。在表面成膜步骤中，主要采用等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，缩写为PECVD)在已经形成PN结的硅片表面形成减反射膜，以提高最终所制作的太阳能电池片的光电转换效率。具体来说，在硅片表面形成减反射膜时，将硅片挂设在石墨舟的石墨舟片上，并将石墨舟置于镀膜设备的镀膜腔内，然后在高温高压下电离镀膜腔内的反应气体，使得反应气体等离子化并发生化学反应。此时，反应产物沉积在硅片表面，使得硅片表面形成减反射膜。但是，采用PECVD在硅片表面形成减反射膜时容易出现绕镀问题，导致硅片边缘颜色异常，进而降低硅片镀膜良率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种电极片、载片器以及镀膜系统，以缓解表面成膜过程中绕镀所产生的硅片边缘颜色异常问题，从而提高硅片镀膜良率。第一方面，本技术提供一种电极片。该电极片包括：至少一个载片单元。每个载片单元的至少一个表面具有载片区域和外围区域，外围区域位于载片区域的周向。每个载片单元的至少一个表面开设有用于抑制绕镀现象的至少一个槽体。至少一个槽体位于外围区域。本技术提供的电极片中，每个载片单元的至少一个表面开设有至少一个槽体，使得两个电极片相对设置的时候，至少一个电极片含有的槽体朝向另一电极片的表面，就能保证两个电极片开设槽体的区域距离比较大(相对于现有未开设槽体的方式)。基于此，当本技术实施例提供的电极片应用于石墨舟等载片器时，将需要成膜的基片挂设在载片器所含有的电极片上，并控制基片挂设于载片单元开设槽体的表面具有的载片区域。在此基础上，采用PECVD在基片表面成膜时，两个电极片开设槽体的区域之间的电场(下文简称槽体区域电场)强度可以在一定程度上抑制绕镀现象，使得两个电极片所挂设的基片表面形成厚度均匀的膜层，从而缓解表面成膜过程中绕镀所产生的硅片边缘颜色异常问题，进而提高硅片镀膜良率和太阳能电池片的生产效率。在一种可能的实现方式中，每个载片单元的同一表面中，槽体的槽口靠近载片区域外边缘的一侧与载片区域的外边缘距离d1大于或等于0。当d1＝0时，槽体的槽口靠近载片区域外边缘的一侧实质已经与载片区域的外边缘重合，使得槽体区域电场与载片区域电场(即两个电极片所挂设的硅片等基片之间的电场)可以实现无缝叠加，以利用槽体区域电场最大限度绕镀所产生的硅片边缘颜色异常问题，提高硅片镀膜良率。当d1＞0时，槽体的槽口与载片区域的外边缘有一定的距离，使得槽体区域电场和载片区域电场之间的电场(下文简称过渡电场)强度受到槽体区域电场和载片区域电场共同影响。此时，沿着载片区域电场到槽体区域电场的方向，过渡电场的电场强度逐渐增高，因此，本技术提供的电极片在一定程度上可以缓解绕镀所产生的硅片边缘颜色异常问题，提高硅片镀膜良率。在一种可能的实现方式中，每个载片单元的同一表面中，槽体的槽口靠近外围区域外边缘的一侧与外围区域的外边缘距离d2大于或等于0且小于d，d为载片区域的外边缘与外围区域的外边缘的距离。当d2＝0时，槽体的槽口靠近外围区域外边缘的一侧已经与外围区域外边缘重合。此时，每个载片单元的至少一个表面开设有的槽体实质为缺口槽。当0＜d2＜d时，槽体的槽口靠近外围区域外边缘的一侧位于外围区域内。此时，每个载片单元的至少一个表面开设有的槽体实质为凹槽。在一种可能的实现方式中，每个载片单元的同一表面中，载片区域的外边缘与外围区域的外边缘的距离为d，d＝d0+d1+d2，d0为槽体的槽口靠近载片区域外边缘的一侧与靠近外围区域外边缘的一侧的距离，d1为每个载片单元的同一表面中，槽体的槽口靠近载片区域外边缘的一侧与载片区域的外边缘距离，d2为每个载片单元的同一表面中，槽体的槽口靠近外围区域外边缘的一侧与外围区域的外边缘距离。在一种可能的实现方式中，每个载片单元的同一表面中，槽体的槽口靠近载片区域的一侧与载片区域的外边缘距离d1＝0.01mm～0.5mm。此时，前文所述过渡电场在槽体区域电场的影响下，可以有效缓解因为载片区域电场的电场强度高所产生的硅片等基片边缘绕镀问题，从而进一步提高硅片镀膜良率。在一种可能的实现方式中，每个载片单元的同一表面中，槽体的槽口靠近载片区域外边缘的一侧与靠近外围区域外边缘的一侧的距离d0为0.1mm-15mm。此时，槽体区域电场既可以有效缓解硅片等基片边缘绕镀问题，又能尽量减少槽口过宽对电极片结构强度的影响。在一种可能的实现方式中，每个载片单元的同一表面中，每个槽体的深度D小于外围区域的最大厚度T，以防止槽体穿透电极片，影响正常镀膜。在一种可能的实现方式中，每个载片单元的同一表面中，每个槽体的深度D小于外围区域的最大厚度T的二分之一。此时，载片单元的两个表面开设的槽体不会贯通，以保证在载片单元在挂设硅片的情况下，载片单元所具有的载片区域不容易因为硅片的牵拉作用发生损坏，从而使得硅片等基片表面成膜正常的情况下，缓解硅片等基片边缘绕镀问题。例如：当电极片的厚度为2cm时，每个载片单元的同一表面中，每个槽体的深度D大于或等于0.1mm且小于1.0cm。在一种可能的实现方式中，至少一个载片单元包括至少两个载片单元。相邻两个载片单元的同一表面所开设的槽体连成一体，以进一步减少电极片的重量。在一种可能的实现方式中，至少一个槽体包括环状槽体。该环状槽体绕设在载片区域的周向。此时整个载片区域被环状槽体包围，使得在表面成膜的过程中，环状槽体可以缓解被硅片等基片周向各个方位的边缘绕镀问题。在一种可能的实现方式中，至少一个槽体包括多个槽体。多个槽体绕设在载片区域的周向，使得在表面成膜的过程中，多个槽体可以缓解硅片等基片边缘具有的多个位置的绕镀问题。在一种可能的实现方式中，多个槽体连成一体。此时连成一体的槽体可以看作前文所描述的环状槽体。例如：相邻两个槽体通过一条开口比较小的凹槽连通。又例如：相邻两个槽体可以直接连通在一起。在另一种可能的实现方式中，相邻两个所述槽体之间具有间隔。此时，在表面成膜的过程中，多个槽体可以缓解硅片等基片边缘具有的多个位置的绕镀问题。在一种可能的实现方式中，多个槽体中的至少一个为凹槽或缺口槽。在一种可能的实现方式中，多个槽体的槽型相同或者部分相同。当然多个槽体的槽型都不相同。在一种可能的实现方式中，上述电极片的每个载片单元开设有位于载片区域的载片窗口。载片窗口不仅有利于降低整个电极片的重量，还能够降低载片单元磨损硅片等基片的可能性。在一种可能的实现方式中，每个载片单元开设有至少两个与卡点轴相配合的卡点孔。当定位硅片等基片时，可以在每个卡点孔内置入卡点轴，以利用卡点轴将硅片等基片挂设在电极片包括的载片单元所具有的载片区域。第二方面，本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电极片，其特征在于，包括：/n至少一个载片单元，每个所述载片单元的至少一个表面具有载片区域和外围区域，所述外围区域位于所述载片区域的周向；/n每个所述载片单元的至少一个表面开设有用于抑制绕镀现象的至少一个槽体，所述至少一个槽体位于所述外围区域；/n每个所述载片单元的同一表面中，所述槽体的槽口靠近载片区域外边缘的一侧与所述载片区域的外边缘距离d

【技术特征摘要】
1.一种电极片，其特征在于，包括：
至少一个载片单元，每个所述载片单元的至少一个表面具有载片区域和外围区域，所述外围区域位于所述载片区域的周向；
每个所述载片单元的至少一个表面开设有用于抑制绕镀现象的至少一个槽体，所述至少一个槽体位于所述外围区域；
每个所述载片单元的同一表面中，所述槽体的槽口靠近载片区域外边缘的一侧与所述载片区域的外边缘距离d1大于或等于0。


2.根据权利要求1所述的电极片，其特征在于，每个所述载片单元的同一表面中，所述槽体的槽口靠近外围区域外边缘的一侧与所述外围区域的外边缘距离d2大于或等于0且小于d，d为所述载片区域的外边缘与所述外围区域的外边缘的距离。


3.根据权利要求1所述的电极片，其特征在于，每个所述载片单元的同一表面中，所述载片区域的外边缘与所述外围区域的外边缘的距离为d，d＝d0+d1+d2，d0为所述槽体的槽口靠近载片区域外边缘的一侧与靠近外围区域外边缘的一侧的距离，d1为每个所述载片单元的同一表面中，所述槽体的槽口靠近载片区域外边缘的一侧与所述载片区域的外边缘距离，d2为每个所述载片单元的同一表面中，所述槽体的槽口靠近外围区域外边缘的一侧与所述外围区域的外边缘距离。


4.根据权利要求1所述的电极片，其特征在于，每个所述载片单元的同一表面中，所述槽体的槽口靠近载片区域的一侧与所述载片区域的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵赞良，
申请(专利权)人：宁夏隆基乐叶科技有限公司，
类型：新型
国别省市：宁夏;64