一种蒸发装置及镀膜系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于镀膜技术领域，具体公开了一种蒸发装置及镀膜系统。蒸发装置包括：蒸发主体，所述蒸发主体上开设有蒸发腔、通气气道及出气口，所述通气气道的一端与所述蒸发腔连通，所述通气气道的另一端与所述出气口连通，所述蒸发腔用于放置待蒸发物；加热组件，包括设置在所述蒸发腔中的第一加热单元和设置在所述蒸发主体外壁上的第二加热单元，所述第一加热单元用于对所述待蒸发物进行加热，所述第二加热单元用于对所述通气气道中的气化气体进行加热。镀膜系统包括上述的蒸发装置。本实用新型专利技术公开的蒸发装置和镀膜系统，能够提高蒸发气化后气化气体的升温充分性，提高镀膜效果和镀膜效率。

【技术实现步骤摘要】
一种蒸发装置及镀膜系统
本技术涉及镀膜
，尤其涉及一种蒸发装置及镀膜系统。
技术介绍
真空镀膜是一种在高真空环境下，在金属、塑料等工件表面上形成具有所需特性薄膜的一种工艺方法，其被广泛应用于电子设备制造等各个领域，用于改善镀膜工件的物理、化学性能，或使工件表面获得较好的外观美观性。等离子体增强化学气相沉淀法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)是真空镀膜工艺的一种，其借助气体辉光发电产生的低温等离子气体，增强反应装置的化学活性，促进气体间的化学反应，从而在低温下也能在工件表面形成固体膜。在采用PECVD进行防水膜的镀膜时，需要将液体单体加热到一定温度并气化后进入到反应腔室中，参与反应腔室中的镀膜反应。现有的蒸发装置通常包括坩埚和加热丝，加热丝围在坩埚外部用于加热坩埚，而坩埚用于放置膜料。现有技术中的蒸发装置，由于从坩埚溢出的气体直接通入反应腔室中，因此存在部分气化气体未达到镀膜所需温度即进入反应腔室的现象，从而造成气体在反应腔室内部冷凝或与工件结合性能变差等问题，降低镀膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蒸发装置，其特征在于，包括：/n蒸发主体(1)，所述蒸发主体(1)上开设有蒸发腔(11)、通气气道(12)及出气口(13)，所述通气气道(12)的一端与所述蒸发腔(11)连通，所述通气气道(12)的另一端与所述出气口(13)连通，所述蒸发腔(11)用于放置待蒸发物；/n加热组件，包括设置在所述蒸发腔(11)中的第一加热单元和设置在所述蒸发主体(1)外壁上的第二加热单元，所述第一加热单元用于对所述待蒸发物进行加热，所述第二加热单元用于对所述通气气道(12)中的气化气体进行加热。/n

【技术特征摘要】
1.一种蒸发装置，其特征在于，包括：
蒸发主体(1)，所述蒸发主体(1)上开设有蒸发腔(11)、通气气道(12)及出气口(13)，所述通气气道(12)的一端与所述蒸发腔(11)连通，所述通气气道(12)的另一端与所述出气口(13)连通，所述蒸发腔(11)用于放置待蒸发物；
加热组件，包括设置在所述蒸发腔(11)中的第一加热单元和设置在所述蒸发主体(1)外壁上的第二加热单元，所述第一加热单元用于对所述待蒸发物进行加热，所述第二加热单元用于对所述通气气道(12)中的气化气体进行加热。


2.根据权利要求1所述的蒸发装置，其特征在于，所述蒸发腔(11)具有贯通所述蒸发主体(1)外壁的腔体开口，所述蒸发装置还包括：
蒸发盒(2)，其具备上端开口的蒸发槽(22)，所述蒸发槽(22)用于放置所述待蒸发物，所述蒸发盒(2)通过所述腔体开口可抽拉地设置在所述蒸发腔(11)中；
封头(4)，与所述蒸发主体(1)可拆卸连接，所述封头(4)用于密封所述腔体开口。


3.根据权利要求2所述的蒸发装置，其特征在于，所述蒸发盒(2)与所述封头(4)可拆卸连接。


4.根据权利要求2或3所述的蒸发装置，其特征在于，所述第一加热单元包括第一加热板(6)，所述第一加热板(6)贴设在所述蒸发盒(2)的盒底；和/或
所述第二加热单元包括第二加热板(7)，所述第二加热板(7...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓必龙，郑利勇，
申请(专利权)人：龙鳞深圳新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44