显微镜和试料观察方法技术

本发明专利技术的显微镜和试料观察方法，对于检查对象的半导体器件Ｓ，设置：图像取得部（１）、包含物镜（２０）的光学系统（２）、和可在包含从半导体器件（Ｓ）向物镜２０的光轴的插入位置与偏离光轴的待机位置之间移动的固态浸没透镜（ＳＩＬ３）。而且，以两种控制模式进行观察：第一模式，将（ＳＩＬ３）配置在待机位置，根据半导体器件（Ｓ）的基板的折射率（ｎ↓［０］）和厚度（ｔ↓［０］）修正焦点和像差；第二模式，将（ＳＩＬ３）配置在插入位置，根据基板的折射率（ｎ↓［０］）、厚度（ｔ↓［０］）、（ＳＩＬ３）的折射率（ｎ↓［１］）、厚度（ｄ↓［１］）和曲率半径（Ｒ↓［１］），修正焦点和像差。由此，可获得易于对半导体器件的微细构造进行解析等必要的试料观察的显微镜和试料观察方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，用于在规定的观察面上观察半导体器件等试料。
技术介绍
近年来，在半导体器件中，器件面(有源电路面)多用于作为基板的下侧的面朝下结合(face down bonding)、倒装式结合(flip-chipbonding)。在这样的半导体器件的检查中，根据封装的种类和安装方向，只要封装不分解，有时就难以使基板的器件面露出。而且，在不进行倒装式安装而可露出基板的器件面的情况下，在高集成化、多层化的半导体器件中，难以观察在下层的配线和元件等。与此相对，提出有从与器件面相反的背面通过基板来观察半导体器件的方法。作为现有技术的半导体检查装置，已知有放射显微镜(emissionscope)(文献1日本专利特开平7-190946号公报)、OBIRCH装置(文献2日本专利特开平6-300824号公报)、时间分解放射显微镜(文献3日本专利特开平10-150086号公报)等。此外，在使用这样的显微镜的观察中，由于作为半导体器件的基板材料使用的硅(Si)透过近红外光，所以进行使用红外光等的观察。但是，近年来，作为检查对象的半导体器件的微细化在发展，在使用可见光和红外光的现有技术的检查装置中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显微镜，在规定的观察面上观察试料，其特征在于，具备：包含物镜，引导所述试料图像的光学系统；用于驱动所述物镜，对所述试料进行调焦和像差修正的物镜驱动构件；设置在包含从所述试料向着所述物镜的光轴的位置的固态浸没透镜； 和控制所述物镜驱动构件的控制构件，所述控制构件具有固态浸没透镜模式作为控制模式，该固态浸没透镜模式在根据所述试料的折射率ｎ↓［０］、厚度ｔ↓［０］、所述固态浸没透镜的折射率ｎ↓［１］、厚度ｄ↓［１］和曲率半径Ｒ↓［１］设定的 修正条件下，进行调焦和像差修正。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺田浩敏，荒田育男，常盘正治，田边浩，坂本繁，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]