一种VDMOS器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种VDMOS器件及其制备方法，所述VDMOS器件包括具有第一类型掺杂的衬底、漂移区、体掺杂区、源区和栅极氧化层；所述漂移区和源区为第一类型掺杂，所述源区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度；所述体掺杂区为第二类型掺杂，所述体掺杂区的掺杂浓度在5╳10

【技术实现步骤摘要】
一种VDMOS器件及其制备方法
本专利技术涉及VDMOS
，具体涉及改槽VDMOS器件的UIS能力的结构及方法。
技术介绍
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)包括平面型VDMOS和沟槽型VDMOS。沟槽型VDMOS是一种用途非常广泛的功率器件，其漏源两极分别设置在器件两侧，电流在器件内部垂直流通，从而增加了电流密度，改善了额定电流，单位面积的导通电阻较小。常规的沟槽型VDMOS制造方法通常包括在硅衬底的外延层内部形成栅极沟槽，并在栅极沟槽内部形成栅氧化层和多晶硅，然后进行离子注入，在所述外延层内部形成体掺杂区，再注入不同类型的离子，在栅极沟槽两侧形成源区，最后形成介质层及金属层等。目前，VDMOS的发展方向是降低开关速度和开关损耗、减小芯片面积、降低导通电阻、提高器件耐压等。同时，VDMOS功率器件的应用中，UIS(Unclampedinductiveswitching)通常被认为是系统应用中所遭遇的最极端的电热应力情况。回路导通时存储在电感中能量必须在关断瞬间全部由功率器件释放，同时施加于功率器件的高电压和大电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种VDMOS器件，其特征在于，所述VDMOS器件包括具有第一类型掺杂的衬底、漂移区、体掺杂区、源区和栅极氧化层；/n所述漂移区和源区为第一类型掺杂，所述源区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度；/n所述体掺杂区为第二类型掺杂，所述体掺杂区的掺杂浓度在5╳10

【技术特征摘要】
1.一种VDMOS器件，其特征在于，所述VDMOS器件包括具有第一类型掺杂的衬底、漂移区、体掺杂区、源区和栅极氧化层；
所述漂移区和源区为第一类型掺杂，所述源区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度；
所述体掺杂区为第二类型掺杂，所述体掺杂区的掺杂浓度在5╳1018cm-3以上，所述栅极氧化层的介电常数在25以上；
所述第一类型掺杂为P型掺杂，所述第二类型掺杂为N型掺杂；或者所述第一类型掺杂为N型掺杂，所述第二类型掺杂为P型掺杂。


2.根据权利要求1所述的VDMOS器件，其特征在于，所述栅极氧化层为Ta2O5。


3.根据权利要求1所述的VDMOS器件,其特征在于，所述栅极氧化层为La2O3。


4.根据权利要求1所述的VDMOS器件,其特征在于，所述栅极氧化层为ZrO2或HfO2。


5.根据权利要求1所述的VDMOS器件,其特征在于，所述栅极氧化层的厚度为100-1000埃。


6.根据权利要求1-5任一所述的VDMOS器件，其特征在于，所述衬底为具有第一类型掺杂的硅衬底或碳化硅衬底。


7.根据权利要求2所述的VDMOS器件，其特征在于，所述VDMOS器件经过在臭氧中的退火处理。


8.根据权利要求1-5任一所述的VDMOS器件，其特征在于，所述VDMOS器件为沟槽型VDMOS，所述沟槽型VDMOS具有一个或多个栅极沟槽；
所述栅极氧化层位于所述栅极沟槽内部表面上；
在形成有所述栅极氧化层的所述栅极沟槽内部填充有多晶硅。


9.一种制备VDMOS器件的方法，其特征在于，所述制备VDMOS器件的方法包括：
提供一具有第一类型掺杂的衬底；
在所述衬底上制备外延层；
对所述外延层进行离子注入，形成漂移区、体掺杂区、源区和栅极氧化层；
所述漂移区和源区为第一类型掺杂，所述源区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度；
所述体掺杂区为第二类型掺杂，所述体掺杂区的掺杂浓度在5╳1018cm-3以上，所述栅极氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：迟延庆，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37