半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源区，其位于衬底上，并且包括在第一方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁；以及外延图案，其位于有源区上，其中，外延图案包括分别从第一侧壁和第二侧壁延伸的第一外延侧壁和第二外延侧壁，第一外延侧壁包括第一外延下侧壁、第一外延上侧壁以及连接第一外延下侧壁和第一外延上侧壁的第一外延连接侧壁，第二外延侧壁包括第二外延下侧壁、第二外延上侧壁以及连接第二外延下侧壁和第二外延上侧壁的第二外延连接侧壁，第一外延上侧壁与第二外延上侧壁之间的距离随着远离有源区而减小，并且第一外延下侧壁和第二外延下侧壁与衬底的顶表面平行地延伸。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请的交叉引用本申请要求于2019年6月10日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0067746的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
本专利技术构思涉及半导体装置，更具体地，涉及具有环栅结构的半导体装置。
技术介绍
作为用于增加半导体装置的密度的缩放技术，已提出一种在衬底上形成纳米线型硅体并在硅体周围形成栅极的环栅结构。由于环栅结构使用三维(3D)沟道，因此可以方便地缩放。此外，在不增加栅极长度的情况下，还可以提高电流控制能力。此外，可以有效地抑制短沟道效应(SCE)，即沟道区的电势受漏极电压影响的现象。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例提供了能够通过控制具有环栅结构的晶体管中的外延图案的形状来提高性能和可靠性的半导体装置。然而，本专利技术构思的实施例不限于本文阐述的那些。通过参照下面给出的本专利技术构思的详细描述，本专利技术构思的以上和其它实施例对于本专利技术构思所属领域的普通技术人员将变得更加清楚。根据本专利技术构思的示例，本公开涉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n有源区，其布置在衬底上，并且包括在第一方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁；以及/n外延图案，其布置在所述有源区上，/n其中，所述外延图案包括分别从所述有源区的所述第一侧壁和所述第二侧壁延伸的第一外延侧壁和第二外延侧壁，/n其中，所述第一外延侧壁包括第一外延下侧壁、第一外延上侧壁以及连接所述第一外延下侧壁和所述第一外延上侧壁的第一外延连接侧壁，/n其中，所述第二外延侧壁包括第二外延下侧壁、第二外延上侧壁以及连接所述第二外延下侧壁和所述第二外延上侧壁的第二外延连接侧壁，/n其中，所述第一外延上侧壁与所述第二外延上侧壁之间在与所述第一方向垂直的第二方向上的距离随着与所述有源...

【技术特征摘要】
20190610 KR 10-2019-00677461.一种半导体装置，包括：
有源区，其布置在衬底上，并且包括在第一方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁；以及
外延图案，其布置在所述有源区上，
其中，所述外延图案包括分别从所述有源区的所述第一侧壁和所述第二侧壁延伸的第一外延侧壁和第二外延侧壁，
其中，所述第一外延侧壁包括第一外延下侧壁、第一外延上侧壁以及连接所述第一外延下侧壁和所述第一外延上侧壁的第一外延连接侧壁，
其中，所述第二外延侧壁包括第二外延下侧壁、第二外延上侧壁以及连接所述第二外延下侧壁和所述第二外延上侧壁的第二外延连接侧壁，
其中，所述第一外延上侧壁与所述第二外延上侧壁之间在与所述第一方向垂直的第二方向上的距离随着与所述有源区相距的距离在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上增大而减小，并且
其中，所述第一外延下侧壁和所述第二外延下侧壁与所述衬底的顶表面平行地延伸。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外延连接侧壁与所述第二外延连接侧壁之间的距离在远离所述有源区的所述第三方向上实质上不变。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外延连接侧壁和所述第二外延连接侧壁是弯曲的。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述外延图案包括连接所述第一外延连接侧壁和所述第二外延连接侧壁的外延顶表面，并且
其中，所述外延顶表面是弯曲的。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述外延图案包括连接所述第一外延连接侧壁和所述第二外延连接侧壁的外延顶表面，并且
其中，所述外延顶表面包括与所述衬底的所述顶表面平行地延伸的部分。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
场绝缘膜，其布置在所述衬底上，并且覆盖所述第一侧壁和所述第二侧壁，
其中，所述场绝缘膜部分地覆盖所述第一外延下侧壁和所述第二外延下侧壁。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
连接至所述外延图案的至少一个纳米片。


8.一种半导体装置，包括：
有源区，其包括在第一方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁；以及
外延图案，其布置在所述有源区上，
其中，所述外延图案包括分别从所述有源区的所述第一侧壁和所述第二侧壁延伸的第一外延侧壁和第二外延侧壁，
其中，所述第一外延侧壁包括第一外延下侧壁、第一外延上侧壁以及连接所述第一外延下侧壁和所述第一外延上侧壁的第一外延连接侧壁，
其中，所述第二外延侧壁包括第二外延下侧壁、第二外延上侧壁以及连接所述第二外延下侧壁和所述第二外延上侧壁的第二外延连接侧壁，
其中，所述第一外延上侧壁和所述第二外延上侧壁由第一晶面族中包括的晶面形成，并且
其中，所述第一外延连接侧壁和所述第二外延连接侧壁由与所述第一晶面族不同的第二晶面族中包括的晶面形成。


9.根据权利要求8所述的半导体装置，
其中，所述第一晶面族是{111}晶面族，并且
其中，所述第二晶面族是{110}晶面族。


10.根据权利要求8所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁正吉，宋升珉，郑秀真，裴东一，徐凤锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR