半导体功率器件和电器设备制造技术

本申请公开了一种半导体功率器件和电器设备。该半导体功率器件包括：第一半导体层，具有第一导电类型，且被划分成元胞区和环绕元胞区外围设置的终端区，终端区内设有环绕元胞区的耐压槽；第二半导体层，沿耐压槽的槽壁设置且具有第二导电类型；第一绝缘层，覆盖于第二半导体层背离第一半导体层的一侧；第一导体层，填充在耐压槽内且通过第一绝缘层与第二半导体层绝缘隔离，第一导体层进一步延伸到耐压槽的外部，并与第一半导体层导电接触；其中，第一导电类型和第二导电类型对应于不同的掺杂类型。通过在终端区设置耐压槽、第二半导体层、第一绝缘层和第一导体层，本申请提供的半导体功率器件能够相对增强耐压能力。

【技术实现步骤摘要】
半导体功率器件和电器设备
本申请涉及半导体器件
，特别是涉及一种半导体功率器件和电器设备。
技术介绍
智能功率模块(IntelligentPowerModule，IPM)是一种由高速、低功耗绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)与快恢复二极管(FastRecoveryDioxide，FRD)、栅极驱动以及相应的保护电路构成的半导体器件，其广泛应用于家用电器、轨道交通、电力系统等领域。而现有半导体功率器件的耐压能力较弱，其耐压结构有待完善以提供更强的耐压能力，以便于提升半导体功率器件的品质。
技术实现思路
本申请主要提供一种半导体功率器件和电器设备，以解决半导体功率器件的耐压能力较弱的问题。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种半导体功率器件。该半导体功率器件包括：第一半导体层，具有第一导电类型，且被划分成元胞区和环绕元胞区外围设置的终端区，终端区内设有环绕元胞区的耐压槽；第二半导体层，沿耐压槽的槽壁设置且具有第二导电类型；第一绝缘层，覆盖于第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件包括：/n第一半导体层，具有第一导电类型，且被划分成元胞区和环绕所述元胞区外围设置的终端区，所述终端区内设有环绕所述元胞区的耐压槽；/n第二半导体层，沿所述耐压槽的槽壁设置且具有第二导电类型；/n第一绝缘层，覆盖于所述第二半导体层背离所述第一半导体层的一侧；/n第一导体层，填充在所述耐压槽内且通过所述第一绝缘层与所述第二半导体层绝缘隔离，所述第一导体层进一步延伸到所述耐压槽的外部，并与所述第一半导体层导电接触；/n其中，所述第一导电类型和第二导电类型对应于不同的掺杂类型。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件包括：
第一半导体层，具有第一导电类型，且被划分成元胞区和环绕所述元胞区外围设置的终端区，所述终端区内设有环绕所述元胞区的耐压槽；
第二半导体层，沿所述耐压槽的槽壁设置且具有第二导电类型；
第一绝缘层，覆盖于所述第二半导体层背离所述第一半导体层的一侧；
第一导体层，填充在所述耐压槽内且通过所述第一绝缘层与所述第二半导体层绝缘隔离，所述第一导体层进一步延伸到所述耐压槽的外部，并与所述第一半导体层导电接触；
其中，所述第一导电类型和第二导电类型对应于不同的掺杂类型。


2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第一导体层与所述第一半导体层的接触位置位于所述第一导体层所在的所述耐压槽背离所述元胞区的一侧。


3.根据权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述耐压槽的数量为多个，多个所述耐压槽彼此嵌套设置，所述多个耐压槽内的所述第一导体层彼此间隔设置。


4.根据权利要求3所述的半导体功率器件，其特征在于，所述元胞区设有电场阻挡层和位于所述电场阻挡层上的栅极沟槽，所述栅极沟槽的深度大于等于所述耐压槽的深度，所述耐压槽的深度随远离所述元胞区的距离的增大而逐渐降低。


5.根据权利要求4所述的半导体功率器件，其特征在于，所述栅极沟槽和邻近所述栅极沟槽的耐压槽之间设有第二导电类型的主环层，所述栅极沟槽两侧还设有第一导电类型的源极层，所述主环层连接所述源极层和所述第二半导体层。


6.根据权利要求1至5任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，周海佳，
申请(专利权)人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司，美的集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44