一种具有负阻特性的半导体放电管制造技术

本实用新型专利技术提出了一种具有负阻特性的半导体放电管。包括：衬底、P2区、N1区、P1区、正面金属电极、背面金属电极；所述P2区制备为利用掺杂工艺在衬底一侧进行制备；所述N1区为利用掺杂工艺在P2区一侧进行制备；所述P1区为利用掺杂工艺在N1区一侧制备；正面金属电极为在P1区一侧进行制备；背面金属电极为在进行减薄处理后的衬底背面进行金属接触处理制备，本实用新型专利技术能够实现降低残压提高浪涌能力的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种具有负阻特性的半导体放电管
本技术属于半导体
，特别涉及一种具有负阻特性的半导体放电管。
技术介绍
目前，半导体放电管(ThyristorSurgeSuppresser)也称作：保护型晶闸管电涌抑制晶闸管、晶闸管浪涌抑制器、电涌抑制晶闸管、TSS、固体放电管。是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。器件本身吸收浪涌能量保护后级电路不受浪涌损害。器件在通信端口，信号端口得到了广泛的应用。强的浪涌能力低的残压是器件优化的方向。提高浪涌能力可以有效保护器件在受到更恶劣的浪涌干扰时保证防护器件不被损坏。低的残压可以更好的消除浪涌对后级电路的影响，防止后端电路受到残压影响后损坏。目前行业使用扩散片生产TSS器件时，结构通常为N1P1N2P2结构(如图1)或者P21N21P22N22结构(如图2)。其中N2(P22)结构利用原有衬底掺杂实现。由于减薄工艺和扩散工艺的限制N2(P22)区域厚度无法做到很薄，一般大于其少子扩散长度。由于基区长度较长，器件很难产生负阻效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有负阻特性的半导体放电管，其特征在于，包括：衬底、P2区、N1区、P1区、正面金属电极、背面金属电极；所述P2区制备为利用掺杂工艺在衬底一侧进行制备；所述N1区为利用掺杂工艺在P2区一侧进行制备；所述P1区为利用掺杂工艺在N1区一侧制备；在P1区一侧进行制备所述正面金属电极；在进行减薄处理后的衬底背面进行金属接触处理，制备所述背面金属电极。/n

【技术特征摘要】
20190701 CN 20192100329331.一种具有负阻特性的半导体放电管，其特征在于，包括：衬底、P2区、N1区、P1区、正面金属电极、背面金属电极；所述P2区制备为利用掺杂工艺在衬底一侧进行制备；所述N1区为利用掺杂工艺在P2区一侧进行制备；所述P1区为利用掺杂工艺在N1区一侧制备；在P1区一侧进行制备所述正面金属电极；在进行减薄处理后的衬底背面进行金属接触处理，制备所述背面金属电极。


2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：单少杰，苏海伟，魏峰，王帅，张英鹏，
申请(专利权)人：上海维安半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31