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本实用新型提出了一种具有负阻特性的半导体放电管。包括：衬底、P2区、N1区、P1区、正面金属电极、背面金属电极；所述P2区制备为利用掺杂工艺在衬底一侧进行制备；所述N1区为利用掺杂工艺在P2区一侧进行制备；所述P1区为利用掺杂工艺在N1区一...
该专利属于上海维安半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海维安半导体有限公司授权不得商用。

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