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本发明提供一种VDMOS器件及其制备方法，所述VDMOS器件包括具有第一类型掺杂的衬底、漂移区、体掺杂区、源区和栅极氧化层；所述漂移区和源区为第一类型掺杂，所述源区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度；所述体掺杂区为第二类型掺杂，所述体掺杂区...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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